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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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IRF9510

IRF9510

MOSFET P-CH 100V 4A TO220AB

Harris Corporation

1,187 -
IRF9510

数据表

- TO-220-3 Tube Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 2.4A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 8.7 nC @ 10 V 100 V ±20V 200 pF @ 25 V - - TO-220AB - 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUZ71

BUZ71

N-CHANNEL POWER MOSFET

Harris Corporation

14,750 -
BUZ71

数据表

- TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 14A (Tc) 10V 100mOhm @ 9A, 10V Through Hole 4V @ 1mA - 50 V ±20V 650 pF @ 25 V - - TO-220-3 - 40W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
RFD10N05SM

RFD10N05SM

10A, 50V, N-CHANNEL,

Harris Corporation

11,858 -
RFD10N05SM

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) - - - Surface Mount - - 50 V - - - - TO-252 (DPAK) - - -
RFP2N15

RFP2N15

N-CHANNEL, MOSFET

Harris Corporation

2,411 -
RFP2N15

数据表

- TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2A (Tc) 10V 1.75Ohm @ 2A, 10V Through Hole 4V @ 250µA - 150 V ±20V 200 pF @ 25 V - - TO-220-3 - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
RFP50N06R4034

RFP50N06R4034

50A, 60V, 0.022 OHM, N-CHANNEL

Harris Corporation

2,400 -
RFP50N06R4034

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRFD113

IRFD113

MOSFET N-CH 60V 800MA 4DIP

Harris Corporation

46,955 -
IRFD113

数据表

- 4-DIP (0.300", 7.62mm) Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 800mA (Tc) 10V 800mOhm @ 800mA, 10V Through Hole 4V @ 250µA 7 nC @ 10 V 60 V ±20V 200 pF @ 25 V - - 4-HVMDIP - 1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
RF1S25N06SM9A

RF1S25N06SM9A

N-CHANNEL POWER MOSFET

Harris Corporation

4,000 -
RF1S25N06SM9A

数据表

- - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
RFP45N06LE

RFP45N06LE

N-CHANNEL POWER MOSFET

Harris Corporation

1,569 -
RFP45N06LE

数据表

- TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 45A (Tc) 5V 28mOhm @ 45A, 5V Through Hole 2V @ 250µA 135 nC @ 10 V 60 V ±10V 2150 pF @ 25 V - - TO-220 - 142W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
RF1S23N06LE

RF1S23N06LE

23A, 60V, 0.065OHM, N-CHANNEL,

Harris Corporation

2,400 -
RF1S23N06LE

数据表

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 23A (Tc) 5V 65mOhm @ 23A, 5V Through Hole 2V @ 250µA 48 nC @ 10 V 60 V ±10V 850 pF @ 25 V - - I2PAK (TO-262) - 75W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
RFP45N03L

RFP45N03L

N-CHANNEL POWER MOSFET

Harris Corporation

41,855 -
RFP45N03L

数据表

- TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 45A (Tc) 5V 22mOhm @ 45A, 5V Through Hole 2V @ 250µA 60 nC @ 10 V 30 V ±10V 1650 pF @ 25 V - - TO-220-3 - 90W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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