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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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IRF830

IRF830

MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3

Harris Corporation

7,963 -
IRF830

数据表

- TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.5A (Tc) - 1.5Ohm @ 2.5A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 32 nC @ 10 V 500 V ±20V 600 pF @ 25 V - - TO-220AB - 75W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
HUF75337P3

HUF75337P3

MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3

Harris Corporation

2,600 -
HUF75337P3

数据表

UltraFET™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) - 14mOhm @ 75A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 109 nC @ 20 V 55 V ±20V 1775 pF @ 25 V - - TO-220-3 - 175W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
RFP2NO8L

RFP2NO8L

2A, 80V, 1.05OHM, N CHANNEL MOSF

Harris Corporation

1,609 -
RFP2NO8L

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
HUF75307T3ST136

HUF75307T3ST136

13A, 55V, 0.090 OHM, N CHANNEL,

Harris Corporation

3,263 -
HUF75307T3ST136

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRF512S2532

IRF512S2532

4.9A, 100V, 0.74 OHM, N-CHANNEL

Harris Corporation

1,200 -
IRF512S2532

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
RFP2P08

RFP2P08

P-CHANNEL POWER MOSFET

Harris Corporation

3,542 -
RFP2P08

数据表

- TO-220-3 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2A (Tc) 10V 3.5Ohm @ 1A, 10V Through Hole 4V @ 1mA - 80 V ±20V 150 pF @ 25 V - - TO-220-3 - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
RFP2N08

RFP2N08

N-CHANNEL, MOSFET

Harris Corporation

3,360 -
RFP2N08

数据表

- TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2A (Tc) 10V 1.05Ohm @ 2A, 5V Through Hole 4V @ 250µA - 80 V ±20V 200 pF @ 25 V - - TO-220 - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
HUF75309D3S

HUF75309D3S

MOSFET N-CH 55V 19A DPAK

Harris Corporation

14,180 -
HUF75309D3S

数据表

UltraFET™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 19A (Tc) 10V 70mOhm @ 19A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 24 nC @ 20 V 55 V ±20V 350 pF @ 25 V - - TO-252 (DPAK) - 55W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
RFP2N10

RFP2N10

N-CHANNEL, MOSFET

Harris Corporation

1,323 -
RFP2N10

数据表

- TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2A (Tc) 10V 1.05Ohm @ 2A, 5V Through Hole 4V @ 250µA - 100 V ±20V 200 pF @ 25 V - - TO-220 - 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
RFD4N06L

RFD4N06L

N-CHANNEL POWER MOSFET

Harris Corporation

1,424 -
RFD4N06L

数据表

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4A (Tc) 5V 600mOhm @ 1A, 5V Through Hole 2.5V @ 250µA 8 nC @ 10 V 60 V ±10V - - - IPAK - 30W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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