订单满￥1000免运费
24小时咨询热线
0755 83957878
场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 图片 | 厂商料号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据表 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 安装类型 | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 漏极到源极电压 (Vdss) | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | 认证 | FET 特性 | 供应商设备封装 | 等级 | 功耗（最大值） | 工作温度 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF151N-CHANNEL POWER MOSFET Harris Corporation |
5,800 | - |
|
数据表 |
- | TO-204AE | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40A (Tc) | 10V | 55mOhm @ 20A, 10V | Through Hole | 4V @ 250µA | 120 nC @ 10 V | 60 V | ±20V | 2000 pF @ 25 V | - | - | TO-204AE | - | 150W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|
|
IRF512N-CHANNEL POWER MOSFET Harris Corporation |
5,823 | - |
|
数据表 |
- | TO-220-3 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 4.9A (Tc) | 10V | 740mOhm @ 3.4A, 10V | Through Hole | 4V @ 250µA | 7.7 nC @ 10 V | 100 V | ±20V | 135 pF @ 25 V | - | - | TO-220 | - | 43W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
|
|
RFM12P08P-CHANNEL POWER MOSFET Harris Corporation |
9,592 | - |
|
数据表 |
- | TO-204AA, TO-3 | Bulk | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 12A (Tc) | 10V | 300mOhm @ 6A, 10V | Through Hole | 4V @ 1mA | - | 80 V | ±20V | 1500 pF @ 25 V | - | - | TO-3 | - | 100W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
