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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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FCH76N60N

FCH76N60N

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

Fairchild Semiconductor

170 -
FCH76N60N

数据表

SupreMOS™ TO-247-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 76A (Tc) 10V 36mOhm @ 38A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 285 nC @ 10 V 600 V ±30V 12385 pF @ 100 V - - TO-247 - 543W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
HUFA75329G3

HUFA75329G3

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

2,700 -
HUFA75329G3

数据表

UltraFET® TO-247-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 49A (Tc) 10V 24mOhm @ 49A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 75 nC @ 20 V 55 V ±20V 1060 pF @ 25 V - - TO-247 - 128W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
FDZ451PZ

FDZ451PZ

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Fairchild Semiconductor

9,569 -
FDZ451PZ

数据表

PowerTrench® 4-XFBGA, WLCSP Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.6A (Ta) 1.5V, 4.5V 140mOhm @ 2A, 4.5V Surface Mount 1.2V @ 250µA 8.8 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 555 pF @ 10 V - - 4-WLCSP (0.8x0.8) - 400mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
NTNS4CS69NTCG

NTNS4CS69NTCG

NTNS4CS69NTCG - TRENCH 6 30V NFE

Fairchild Semiconductor

228,155 -
NTNS4CS69NTCG

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
SCH1331-TL-W

SCH1331-TL-W

POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

10,000 -
SCH1331-TL-W

数据表

- SOT-563, SOT-666 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3A (Ta) 1.5V, 4.5V 84mOhm @ 1.5A, 4.5V Surface Mount 1.3V @ 1mA 5.6 nC @ 4.5 V 12 V ±10V 405 pF @ 6 V - - SOT-563/SCH6 - 1W (Ta) 150°C (TJ)
FDN352AP

FDN352AP

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Fairchild Semiconductor

43,628 -
FDN352AP

数据表

PowerTrench® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.3A (Ta) 4.5V, 10V 180mOhm @ 1.3A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 1.9 nC @ 4.5 V 30 V ±25V 150 pF @ 15 V - - SOT-23-3 - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDN336P

FDN336P

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Fairchild Semiconductor

9,665 -
FDN336P

数据表

PowerTrench® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.3A (Ta) 2.5V, 4.5V 200mOhm @ 1.3A, 4.5V Surface Mount 1.5V @ 250µA 5 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 330 pF @ 10 V - - SOT-23-3 - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDMS0349

FDMS0349

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Fairchild Semiconductor

193,000 -
FDMS0349

数据表

PowerTrench® 8-PowerTDFN Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 14A (Ta), 20A (Tc) 4.5V, 10V 8mOhm @ 14A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 22 nC @ 10 V 30 V ±20V 1410 pF @ 15 V - - 8-PQFN (5x6), Power56 - 2.5W (Ta), 27W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDC8886

FDC8886

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Fairchild Semiconductor

124,596 -
FDC8886

数据表

PowerTrench® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 6.5A (Ta), 8A (Tc) 4.5V, 10V 23mOhm @ 6.5A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 7.4 nC @ 10 V 30 V ±20V 465 pF @ 15 V - - SuperSOT™-6 - 1.6W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDMS0346

FDMS0346

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Fairchild Semiconductor

96,000 -
FDMS0346

数据表

PowerTrench® 8-PowerVDFN Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 17A (Ta), 28A (Tc) 4.5V, 10V 5.8mOhm @ 17A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 25 nC @ 10 V 25 V ±20V 1625 pF @ 13 V - - Power56 - 2.5W (Ta), 33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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