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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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FDS3572_NL

FDS3572_NL

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

126 -
FDS3572_NL

数据表

PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8.9A (Ta) 6V, 10V 16mOhm @ 8.9A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 41 nC @ 10 V 80 V ±20V 1990 pF @ 25 V - - 8-SOIC - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDP5645

FDP5645

MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

Fairchild Semiconductor

292 -
FDP5645

数据表

PowerTrench® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80A (Ta) 6V, 10V 9.5mOhm @ 40A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 107 nC @ 10 V 60 V ±20V 4468 pF @ 30 V - - TO-220-3 - 125W (Tc) -65°C ~ 175°C (TJ)
FDP14AN06LA0

FDP14AN06LA0

MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO220-3

Fairchild Semiconductor

14,481 -
FDP14AN06LA0

数据表

PowerTrench® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 10A (Ta), 67A (Tc) 5V, 10V 11.6mOhm @ 67A, 10V Through Hole 3V @ 250µA 31 nC @ 5 V 60 V ±20V 2900 pF @ 25 V - - TO-220-3 - 125W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
FQH18N50V2

FQH18N50V2

MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3

Fairchild Semiconductor

4,058 -
FQH18N50V2

数据表

QFET® TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20A (Tc) 10V 265mOhm @ 10A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 55 nC @ 10 V 500 V ±30V 3290 pF @ 25 V - - TO-247 - 277W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FQA18N50V2

FQA18N50V2

MOSFET N-CH 500V 20A TO3P

Fairchild Semiconductor

380 -
FQA18N50V2

数据表

QFET® TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20A (Tc) 10V 265mOhm @ 10A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 55 nC @ 10 V 500 V ±30V 3290 pF @ 25 V - - TO-3P - 277W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDP047N08-F10

FDP047N08-F10

164A, 75V, N-CHANNEL, MOSFET

Fairchild Semiconductor

432 -
FDP047N08-F10

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
HUFA75852G3-F085

HUFA75852G3-F085

N-CHANNEL, MOSFET

Fairchild Semiconductor

166 -
HUFA75852G3-F085

数据表

UltraFET™ TO-247-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 10V 16mOhm @ 75A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 480 nC @ 20 V 150 V ±20V 7690 pF @ 25 V AEC-Q101 - TO-247-3 Automotive 500W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
FDA20N50

FDA20N50

MOSFET N-CH 500V 22A TO3PN

Fairchild Semiconductor

78,050 -
FDA20N50

数据表

UniFET™ TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 22A (Tc) - 230mOhm @ 11A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 59.5 nC @ 10 V 500 V - 3120 pF @ 25 V - - TO-3PN - - -
FDAF75N28

FDAF75N28

MOSFET N-CH 280V 46A TO3PF

Fairchild Semiconductor

1,291 -
FDAF75N28

数据表

UniFET™ TO-3P-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 46A (Tc) 10V 41mOhm @ 23A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 144 nC @ 10 V 280 V ±30V 6700 pF @ 25 V - - TO-3PF - 215W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FQAF40N25

FQAF40N25

MOSFET N-CH 250V 24A TO3PF

Fairchild Semiconductor

2,593 -
FQAF40N25

数据表

QFET® TO-3P-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24A (Tc) 10V 70mOhm @ 12A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 110 nC @ 10 V 250 V ±30V 4000 pF @ 25 V - - TO-3PF - 108W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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