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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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FDMS0355S

FDMS0355S

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Fairchild Semiconductor

6,000 -
FDMS0355S

数据表

PowerTrench® 8-PowerTDFN Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 18A (Ta), 22A (Tc) 4.5V, 10V 5mOhm @ 18A, 10V Surface Mount 3V @ 1mA 31 nC @ 10 V 30 V ±20V 1815 pF @ 15 V - - 8-PQFN (5x6), Power56 - 2.5W (Ta), 36W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDD6N25TM

FDD6N25TM

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4

Fairchild Semiconductor

1,058,749 -
FDD6N25TM

数据表

UniFET™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.4A (Tc) 10V 1.1Ohm @ 2.2A, 10V Surface Mount 5V @ 250µA 6 nC @ 10 V 250 V ±30V 250 pF @ 25 V - - TO-252AA - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FQD4N20TM

FQD4N20TM

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

Fairchild Semiconductor

2,537 -
FQD4N20TM

数据表

QFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3A (Tc) 10V 1.4Ohm @ 1.5A, 10V Surface Mount 5V @ 250µA 6.5 nC @ 10 V 200 V ±30V 220 pF @ 25 V - - TO-252 (DPAK) - 2.5W (Ta), 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDS8433A-G

FDS8433A-G

FDS8433A - MOSFET 20V 47.0 MOHM

Fairchild Semiconductor

524,888 -
FDS8433A-G

数据表

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5A (Ta) 2.5V, 4.5V 47mOhm @ 5A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 28 nC @ 5 V 20 V ±8V 1130 pF @ 10 V - - 8-SOIC - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDZ663P

FDZ663P

FDZ663P - FDZ663P - MOSFET P-CHA

Fairchild Semiconductor

60,000 -
FDZ663P

数据表

PowerTrench® 4-XFBGA, WLCSP Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.7A (Ta) 1.5V, 4.5V 134mOhm @ 2A, 4.5V Surface Mount 1.2V @ 250µA 8.2 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 525 pF @ 10 V - - 4-WLCSP (0.8x0.8) - 1.3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDC653N

FDC653N

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Fairchild Semiconductor

2,505 -
FDC653N

数据表

- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5A (Ta) 4.5V, 10V 35mOhm @ 5A, 10V Surface Mount 2V @ 250µA 17 nC @ 10 V 30 V ±20V 350 pF @ 15 V - - SuperSOT™-6 - 1.6W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDZ661PZ

FDZ661PZ

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Fairchild Semiconductor

106,670 -
FDZ661PZ

数据表

PowerTrench® 4-XFBGA, WLCSP Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.6A (Ta) 1.5V, 4.5V 140mOhm @ 2A, 4.5V Surface Mount 1.2V @ 250µA 8.8 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 555 pF @ 10 V - - 4-WLCSP (0.8x0.8) - 1.3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDMS7694

FDMS7694

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Fairchild Semiconductor

3,717 -
FDMS7694

数据表

PowerTrench® 8-PowerTDFN Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 13.2A (Ta), 20A (Tc) 4.5V, 10V 9.5mOhm @ 13.2A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 22 nC @ 10 V 30 V ±20V 1410 pF @ 15 V - - 8-PQFN (5x6) - 2.5W (Ta), 27W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDMC8884

FDMC8884

9A, 30V, 0.019OHM, N-CHANNEL POW

Fairchild Semiconductor

198,694 -
FDMC8884

数据表

PowerTrench® 8-PowerWDFN Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 9A (Ta), 15A (Tc) 4.5V, 10V 19mOhm @ 9A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 14 nC @ 10 V 30 V ±20V 685 pF @ 15 V - - 8-MLP (3.3x3.3) - 2.3W (Ta), 18W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDS6612A

FDS6612A

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Fairchild Semiconductor

86,571 -
FDS6612A

数据表

PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8.4A (Ta) 4.5V, 10V 22mOhm @ 8.4A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 7.6 nC @ 5 V 30 V ±20V 560 pF @ 15 V - - 8-SOIC - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
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