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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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FDB7045L

FDB7045L

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

90,059 -
FDB7045L

数据表

PowerTrench® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100A (Tj) 4.5V, 10V 4.5mOhm @ 50A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 58 nC @ 5 V 30 V ±20V 4357 pF @ 15 V - - TO-263AB - 107W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ)
FQA90N10V2

FQA90N10V2

MOSFET N-CH 100V 105A TO3P

Fairchild Semiconductor

1,021 -
FQA90N10V2

数据表

QFET® TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 105A (Tc) 10V 10mOhm @ 52.5A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 191 nC @ 10 V 100 V ±30V 6150 pF @ 25 V - - TO-3P - 330W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
FDB029N06

FDB029N06

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Fairchild Semiconductor

4,900 -
FDB029N06

数据表

PowerTrench® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120A (Tc) 10V 3.1mOhm @ 75A, 10V Surface Mount 4.5V @ 250µA 151 nC @ 10 V 60 V ±20V 9815 pF @ 25 V - - TO-263 (D2PAK) - 231W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
HUF75645S3ST_NL

HUF75645S3ST_NL

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

342 -
HUF75645S3ST_NL

数据表

UltraFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 10V 14mOhm @ 75A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 238 nC @ 20 V 100 V ±20V 3790 pF @ 25 V - - D2PAK - 310W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
HUF75645S3ST_Q

HUF75645S3ST_Q

N CHANNEL ULTRAFET 100V, 75A, 1

Fairchild Semiconductor

308 -
HUF75645S3ST_Q

数据表

UltraFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 10V 14mOhm @ 75A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 238 nC @ 20 V 100 V ±20V 3790 pF @ 25 V - - D2PAK - 310W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
FQA16N50

FQA16N50

MOSFET N-CH 500V 16A TO3P

Fairchild Semiconductor

1,846 -
FQA16N50

数据表

QFET® TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 16A (Tc) 10V 320mOhm @ 8A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 75 nC @ 10 V 500 V ±30V 3000 pF @ 25 V - - TO-3P - 200W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FQP18N50V2

FQP18N50V2

MOSFET N-CH 500V 18A TO220-3

Fairchild Semiconductor

532 -
FQP18N50V2

数据表

QFET® TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 18A (Tc) 10V 265mOhm @ 9A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 55 nC @ 10 V 500 V ±30V 3290 pF @ 25 V - - TO-220-3 - 208W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDP8030L

FDP8030L

MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3

Fairchild Semiconductor

6,155 -
FDP8030L

数据表

- TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80A (Ta) 4.5V, 10V 3.5mOhm @ 80A, 10V Through Hole 2V @ 250µA 170 nC @ 5 V 30 V ±20V 10500 pF @ 15 V - - TO-220-3 - 187W (Tc) -65°C ~ 175°C (TJ)
FQA15N70

FQA15N70

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

379 -
FQA15N70

数据表

- TO-3P-3, SC-65-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 15A (Tc) 10V 560mOhm @ 7.5A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 90 nC @ 10 V 700 V ±30V 3630 pF @ 25 V - - TO-3P - 300W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDB7030L

FDB7030L

MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB

Fairchild Semiconductor

63,006 -
FDB7030L

数据表

PowerTrench® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80A (Ta) 4.5V, 10V 7mOhm @ 40A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 33 nC @ 5 V 30 V ±20V 2440 pF @ 15 V - - TO-263 (D2PAK) - 68W (Tc) -65°C ~ 175°C (TJ)
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