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    场效应晶体管（FETs）、MOSFETs

    制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)（最大值） 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗（最大值） 工作温度

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    SFS9Z14

    SFS9Z14

    P-CHANNEL POWER MOSFET

    Fairchild Semiconductor

    		 4,997 -
    询价单
    		SFS9Z14

    数据表

         		- TO-220-3 Full Pack Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5.3A (Tc) 10V 500mOhm @ 2.7A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V 60 V ±30V 350 pF @ 25 V - - TO-220F - 24W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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