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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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FDS4072N7

FDS4072N7

MOSFET N-CH 40V 12.4A 8SO

Fairchild Semiconductor

9,775 -
FDS4072N7

数据表

PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12.4A (Ta) 4.5V, 10V 9mOhm @ 13.7A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 46 nC @ 4.5 V 40 V ±12V 4299 pF @ 20 V - - 8-SO - 3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDS4080N7

FDS4080N7

MOSFET N-CH 40V 13A 8SO

Fairchild Semiconductor

9,444 -
FDS4080N7

数据表

PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 13A (Ta) 10V 10mOhm @ 13A, 10V Surface Mount 5V @ 250µA 40 nC @ 10 V 40 V ±20V 1750 pF @ 20 V - - 8-SO - 3.9W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
HUF76443S3S

HUF76443S3S

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

400 -
HUF76443S3S

数据表

UltraFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 4.5V, 10V 8mOhm @ 75A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 129 nC @ 10 V 60 V ±16V 4115 pF @ 25 V - - TO-263 (D2PAK) - 260W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
FDI8441

FDI8441

MOSFET N-CH 40V 26A/80A I2PAK

Fairchild Semiconductor

40,623 -
FDI8441

数据表

PowerTrench® TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 26A (Ta), 80A (Tc) 10V 2.7mOhm @ 80A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 280 nC @ 10 V 40 V ±20V 15000 pF @ 25 V - - TO-262 (I2PAK) - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
FDB8160

FDB8160

MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Fairchild Semiconductor

17,624 -
FDB8160

数据表

PowerTrench® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80A (Tc) 10V 1.8mOhm @ 80A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 243 nC @ 10 V 30 V ±20V 11825 pF @ 15 V - - TO-263AB - 254W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
ISL9N303AS3ST

ISL9N303AS3ST

MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

Fairchild Semiconductor

8,377 -
ISL9N303AS3ST

数据表

UltraFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 4.5V, 10V 3.2mOhm @ 75A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 172 nC @ 10 V 30 V ±20V 7000 pF @ 15 V - - TO-263 (D2PAK) - 215W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
FDH5500

FDH5500

MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3

Fairchild Semiconductor

2,700 -
FDH5500

数据表

UltraFET™ TO-247-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 10V 7mOhm @ 75A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 268 nC @ 20 V 55 V ±30V 3565 pF @ 25 V - - TO-247 - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
NDB6030L

NDB6030L

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

580 -
NDB6030L

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 52A (Tc) 4.5V, 10V 13.5mOhm @ 26A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 60 nC @ 10 V 30 V ±16V 1350 pF @ 15 V - - TO-263AB - 75W (Tc) -65°C ~ 175°C (TJ)
FQA17N40

FQA17N40

MOSFET N-CH 400V 17.2A TO3P

Fairchild Semiconductor

398 -
FQA17N40

数据表

QFET® TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 17.2A (Tc) 10V 270mOhm @ 8.6A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 60 nC @ 10 V 400 V ±30V 2300 pF @ 25 V - - TO-3P - 190W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
NDB7051

NDB7051

MOSFET N-CH 50V 70A D2PAK

Fairchild Semiconductor

2,394 -
NDB7051

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 70A (Tc) 10V 13mOhm @ 35A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 100 nC @ 10 V 50 V ±20V 1930 pF @ 25 V - - TO-263 (D2PAK) - 130W (Tc) -65°C ~ 175°C (TJ)
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