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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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FQA27N25

FQA27N25

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

Fairchild Semiconductor

237 -
FQA27N25

数据表

QFET® TO-3P-3, SC-65-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 27A (Tc) 10V 110mOhm @ 13.5A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 65 nC @ 10 V 250 V ±30V 2450 pF @ 25 V - - TO-3PN - 210W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDS7060N7

FDS7060N7

MOSFET N-CH 30V 19A 8SO

Fairchild Semiconductor

2,154 -
FDS7060N7

数据表

PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 19A (Ta) 4.5V, 10V 5mOhm @ 19A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 56 nC @ 5 V 30 V ±20V 3274 pF @ 15 V - - 8-SO - 3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
FQA7N90

FQA7N90

MOSFET N-CH 900V 7.4A TO3P

Fairchild Semiconductor

553 -
FQA7N90

数据表

QFET® TO-3P-3, SC-65-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 7.4A (Tc) 10V 1.55Ohm @ 3.7A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 59 nC @ 10 V 900 V ±30V 2280 pF @ 25 V - - TO-3P - 198W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDB8442-F085-FS

FDB8442-F085-FS

28A, 40V, 0.0029OHM, N-CHANNEL,

Fairchild Semiconductor

351 -
FDB8442-F085-FS

数据表

PowerTrench® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 28A (Ta), 80A (Tc) 10V 2.9mOhm @ 80A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 235 nC @ 10 V 40 V ±20V 12200 pF @ 25 V - - TO-263 (D2PAK) - 254W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
FDP030N06B

FDP030N06B

1-ELEMENT, N-CHANNEL, MOS FET

Fairchild Semiconductor

800 -
FDP030N06B

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FDS6672A

FDS6672A

MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC

Fairchild Semiconductor

224,608 -
FDS6672A

数据表

PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12.5A (Ta) 4.5V, 10V 8mOhm @ 14A, 10V Surface Mount 2V @ 250µA 46 nC @ 4.5 V 30 V ±12V 5070 pF @ 15 V - - 8-SOIC - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDB2670

FDB2670

MOSFET N-CH 200V 19A TO263AB

Fairchild Semiconductor

3,500 -
FDB2670

数据表

PowerTrench® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 19A (Ta) 10V 130mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 4.5V @ 250µA 38 nC @ 10 V 200 V ±20V 1320 pF @ 100 V - - TO-263 (D2PAK) - 93W (Tc) -65°C ~ 175°C (TJ)
HUF76443S3ST

HUF76443S3ST

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

800 -
HUF76443S3ST

数据表

UltraFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 4.5V, 10V 8mOhm @ 75A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 129 nC @ 10 V 60 V ±16V 4115 pF @ 25 V - - TO-263 (D2PAK) - 260W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
FDS4080N3

FDS4080N3

MOSFET N-CH 40V 13A 8SO

Fairchild Semiconductor

37,820 -
FDS4080N3

数据表

PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 13A (Ta) 10V 10.5mOhm @ 13A, 10V Surface Mount 5V @ 250µA 40 nC @ 10 V 40 V ±20V 1750 pF @ 20 V - - 8-SO - 3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDS3670

FDS3670

MOSFET N-CH 100V 6.3A 8SOIC

Fairchild Semiconductor

25,000 -
FDS3670

数据表

PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 6.3A (Ta) 6V, 10V 32mOhm @ 6.3A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 80 nC @ 10 V 100 V ±20V 2490 pF @ 50 V - - 8-SOIC - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
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