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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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HUFA75307P3

HUFA75307P3

MOSFET N-CH 55V 15A TO220-3

Fairchild Semiconductor

10,804 -
HUFA75307P3

数据表

UltraFET™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 15A (Tc) 10V 90mOhm @ 15A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 20 nC @ 20 V 55 V ±20V 250 pF @ 25 V - - TO-220-3 - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
HUF76407D3S

HUF76407D3S

MOSFET N-CH 60V 12A TO252AA

Fairchild Semiconductor

9,800 -
HUF76407D3S

数据表

UltraFET™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12A (Tc) 4.5V, 10V 92mOhm @ 13A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 11.3 nC @ 10 V 60 V ±16V 350 pF @ 25 V - - TO-252 (DPAK) - 38W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
HUFA75307D3S

HUFA75307D3S

MOSFET N-CH 55V 15A TO252AA

Fairchild Semiconductor

7,254 -
HUFA75307D3S

数据表

UltraFET™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 15A (Tc) 10V 90mOhm @ 15A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 20 nC @ 20 V 55 V ±20V 250 pF @ 25 V - - TO-252 (DPAK) - 45W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
FDS8878

FDS8878

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Fairchild Semiconductor

449,382 -
FDS8878

数据表

PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 10.2A (Ta) 4.5V, 10V 14mOhm @ 10.2A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 26 nC @ 10 V 30 V ±20V 897 pF @ 15 V - - 8-SOIC - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
FQB17N08TM

FQB17N08TM

MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK

Fairchild Semiconductor

2,400 -
FQB17N08TM

数据表

QFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 16.5A (Tc) 10V 115mOhm @ 8.25A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 15 nC @ 10 V 80 V ±25V 450 pF @ 25 V - - TO-263 (D2PAK) - 3.13W (Ta), 65W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
ISL9N322AP3

ISL9N322AP3

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

156,653 -
ISL9N322AP3

数据表

UltraFET® TO-220-3 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 35A (Tc) 4.5V, 10V 22mOhm @ 35A, 10V Through Hole 3V @ 250µA 27 nC @ 10 V 30 V ±20V 970 pF @ 15 V - - TO-220-3 - 50W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ)
PN3685

PN3685

MOSFET N-CH TO-92

Fairchild Semiconductor

23,600 -
PN3685

数据表

- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) - - - Through Hole - - - - - - - TO-92-3 - - -
FDME430NT

FDME430NT

MOSFET N-CH 30V 6A MICROFET

Fairchild Semiconductor

21,155 -
FDME430NT

数据表

PowerTrench® 6-PowerUFDFN Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 6A (Ta) - 40mOhm @ 6A, 4.5V Surface Mount 1.5V @ 250µA 9 nC @ 4.5 V 30 V ±12V 760 pF @ 15 V - - MicroFet 1.6x1.6 Thin - 700mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRFR210BTM

IRFR210BTM

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

17,300 -
IRFR210BTM

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.7A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 1.35A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 9.3 nC @ 10 V 200 V ±30V 225 pF @ 25 V - - TO-252 (DPAK) - 2.5W (Ta), 26W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI4431DY

SI4431DY

P-CHANNEL MOSFET

Fairchild Semiconductor

7,099 -
SI4431DY

数据表

PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 6.3A (Ta) 4.5V, 10V 32mOhm @ 7A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 29 nC @ 10 V 30 V ±20V 930 pF @ 15 V - - 8-SOIC - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
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