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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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SSP1N60B

SSP1N60B

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

3,644 -
SSP1N60B

数据表

- TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1A (Tc) 10V 12Ohm @ 500mA, 10V Through Hole 4V @ 250µA 7.7 nC @ 10 V 600 V ±30V 215 pF @ 25 V - - TO-220 - 34W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRLI610ATU

IRLI610ATU

MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK

Fairchild Semiconductor

3,000 -
IRLI610ATU

数据表

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.3A (Tc) 5V 1.5Ohm @ 1.65A, 5V Through Hole 2V @ 250µA 9 nC @ 5 V 200 V ±20V 240 pF @ 25 V - - TO-262 (I2PAK) - 3.1W (Ta), 33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDC654P

FDC654P

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Fairchild Semiconductor

994,719 -
FDC654P

数据表

PowerTrench® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.6A (Ta) 4.5V, 10V 75mOhm @ 3.6A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 9 nC @ 10 V 30 V ±20V 298 pF @ 15 V - - SuperSOT™-6 - 1.6W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDG329N

FDG329N

MOSFET N-CH 20V 1.5A SC88

Fairchild Semiconductor

368,160 -
FDG329N

数据表

PowerTrench® 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.5A (Ta) 2.5V, 4.5V 90mOhm @ 1.5A, 4.5V Surface Mount 1.5V @ 250µA 4.6 nC @ 4.5 V 20 V ±12V 324 pF @ 10 V - - SC-88 (SC-70-6) - 420mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
SSP2N60B

SSP2N60B

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

322,000 -
SSP2N60B

数据表

- TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2A (Tc) 10V 5Ohm @ 1A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 17 nC @ 10 V 600 V ±30V 490 pF @ 25 V - - TO-220 - 54W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDFC2P100

FDFC2P100

MOSFET P-CH 20V 3A SUPERSOT6

Fairchild Semiconductor

115,946 -
FDFC2P100

数据表

PowerTrench® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3A (Ta) 2.5V, 4.5V 150mOhm @ 3A, 4.5V Surface Mount 1.5V @ 250µA 4.7 nC @ 10 V 20 V ±12V 445 pF @ 10 V - Schottky Diode (Isolated) SuperSOT™-6 - 1.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDG312P

FDG312P

MOSFET P-CH 20V 1.2A SC88

Fairchild Semiconductor

82,077 -
FDG312P

数据表

PowerTrench® 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.2A (Ta) 2.5V, 4.5V 180mOhm @ 1.2A, 4.5V Surface Mount 1.5V @ 250µA 5 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 330 pF @ 10 V - - SC-88 (SC-70-6) - 750mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
NDS335N

NDS335N

MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3

Fairchild Semiconductor

64,643 -
NDS335N

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.7A (Ta) 2.7V, 4.5V 110mOhm @ 1.7A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 9 nC @ 4.5 V 20 V 8V 240 pF @ 10 V - - SOT-23-3 - 500mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRFS614B

IRFS614B

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

46,499 -
IRFS614B

数据表

- TO-220-3 Full Pack Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.8A (Tj) 10V 2Ohm @ 1.4A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 10.5 nC @ 10 V 250 V ±30V 275 pF @ 25 V - - TO-220F - 22W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDN363N

FDN363N

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

42,602 -
FDN363N

数据表

PowerTrench® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1A (Tc) 6V, 10V 240mOhm @ 1A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 5.2 nC @ 10 V 100 V ±20V 200 pF @ 25 V - - SuperSOT™-3 - 500mW (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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