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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
IRFI630BTU

IRFI630BTU

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

3,453 -
IRFI630BTU

数据表

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 9A (Tc) 10V 400mOhm @ 4.5A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 29 nC @ 10 V 200 V ±30V 720 pF @ 25 V - - TO-262 (I2PAK) - 3.13W (Ta), 72W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI6466DQ

SI6466DQ

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

3,040 -
SI6466DQ

数据表

PowerTrench® 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 7.8A (Ta) 2.5V, 4.5V 15mOhm @ 7.8A, 4.5V Surface Mount 1.5V @ 250µA 20 nC @ 4.5 V 20 V ±12V 1320 pF @ 10 V - - 8-TSSOP - 1.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
HUF76013D3S

HUF76013D3S

MOSFET N-CH 20V 20A TO252AA

Fairchild Semiconductor

1,212 -
HUF76013D3S

数据表

UltraFET™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20A (Tc) 5V, 10V 22mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 17 nC @ 10 V 20 V ±20V 624 pF @ 20 V - - TO-252 (DPAK) - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SFR9214TM

SFR9214TM

P-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

412,282 -
SFR9214TM

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.53A (Tc) 10V 4Ohm @ 770mA, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 11 nC @ 10 V 250 V ±30V 295 pF @ 25 V - - TO-252 (DPAK) - 2.5W (Ta), 19W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRFR210BTF

IRFR210BTF

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

218,000 -
IRFR210BTF

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.7A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 1.35A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 9.3 nC @ 10 V 200 V ±30V 225 pF @ 25 V - - TO-252 (DPAK) - 2.5W (Ta), 26W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SSR1N60BTF

SSR1N60BTF

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

76,000 -
SSR1N60BTF

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900mA (Tc) 10V 12Ohm @ 450mA, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 7.7 nC @ 10 V 600 V ±30V 215 pF @ 25 V - - TO-252 (DPAK) - 2.5W (Ta), 28W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDZ293P

FDZ293P

MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA

Fairchild Semiconductor

48,430 -
FDZ293P

数据表

PowerTrench® 9-VFBGA Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.6A (Ta) 2.5V, 4.5V 46mOhm @ 4.6A, 4.5V Surface Mount 1.5V @ 250µA 11 nC @ 4.5 V 20 V ±12V 754 pF @ 10 V - - 9-BGA (1.5x1.6) - 1.7W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
FQD4N25TM

FQD4N25TM

MOSFET N-CH 250V 3A DPAK

Fairchild Semiconductor

22,500 -
FQD4N25TM

数据表

QFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3A (Tc) 10V 1.75Ohm @ 1.5A, 10V Surface Mount 5V @ 250µA 5.6 nC @ 10 V 250 V ±30V 200 pF @ 25 V - - TO-252 (DPAK) - 2.5W (Ta), 37W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDS6630A

FDS6630A

MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC

Fairchild Semiconductor

21,486 -
FDS6630A

数据表

PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 6.5A (Ta) 4.5V, 10V 38mOhm @ 6.5A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 7 nC @ 5 V 30 V ±20V 460 pF @ 15 V - - 8-SOIC - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
FQE10N20CTU

FQE10N20CTU

MOSFET N-CH 200V 4A TO126-3

Fairchild Semiconductor

17,700 -
FQE10N20CTU

数据表

QFET® TO-225AA, TO-126-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4A (Tc) 10V 360mOhm @ 2A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 26 nC @ 10 V 200 V ±30V 510 pF @ 25 V - - TO-126-3 - 12.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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