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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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HUF76129D3ST

HUF76129D3ST

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

42,200 -
HUF76129D3ST

数据表

UltraFET™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20A (Tc) 4.5V, 10V 16mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 46 nC @ 10 V 30 V ±20V 1425 pF @ 25 V - - TO-252 (DPAK) - 105W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
HUF76437S3ST

HUF76437S3ST

MOSFET N-CH 60V 71A D2PAK

Fairchild Semiconductor

17,682 -
HUF76437S3ST

数据表

UltraFET™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 71A (Tc) 4.5V, 10V 14mOhm @ 71A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 71 nC @ 10 V 60 V ±16V 2230 pF @ 25 V - - TO-263 (D2PAK) - 155W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
FQB11N40TM

FQB11N40TM

MOSFET N-CH 400V 11.4A D2PAK

Fairchild Semiconductor

8,000 -
FQB11N40TM

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 11.4A (Tc) 10V 480mOhm @ 5.7A, 10V Surface Mount 5V @ 250µA 35 nC @ 10 V 400 V ±30V 1400 pF @ 25 V - - TO-263 (D2PAK) - 3.13W (Ta), 147W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRLR210ATM

IRLR210ATM

MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK

Fairchild Semiconductor

7,500 -
IRLR210ATM

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.7A (Tc) 5V 1.5Ohm @ 1.35A, 5V Surface Mount 2V @ 250µA 9 nC @ 5 V 200 V ±20V 240 pF @ 25 V - - TO-252 (DPAK) - 2.5W (Ta), 21W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
HUF75637P3

HUF75637P3

MOSFET N-CH 100V 44A TO220-3

Fairchild Semiconductor

5,595 -
HUF75637P3

数据表

UltraFET™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 44A (Tc) 10V 30mOhm @ 44A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 108 nC @ 20 V 100 V ±20V 1700 pF @ 25 V - - TO-220-3 - 155W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
ISL9N327AD3ST

ISL9N327AD3ST

N-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

5,000 -
ISL9N327AD3ST

数据表

UltraFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20A (Tc) 4.5V, 10V 27mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 26 nC @ 10 V 30 V ±20V 910 pF @ 15 V - - TO-252 (DPAK) - 50W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ)
NDS9400

NDS9400

P-CHANNEL POWER MOSFET

Fairchild Semiconductor

5,000 -
NDS9400

数据表

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.5A - - Surface Mount - - - - - - - 8-SOIC - 2W -
FQD1N50TM

FQD1N50TM

MOSFET N-CH 500V 1.1A DPAK

Fairchild Semiconductor

241,289 -
FQD1N50TM

数据表

QFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.1A (Tc) 10V 9Ohm @ 550mA, 10V Surface Mount 5V @ 250µA 5.5 nC @ 10 V 500 V ±30V 150 pF @ 25 V - - TO-252 (DPAK) - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDW262P

FDW262P

MOSFET P-CH 20V 4.5A 8TSSOP

Fairchild Semiconductor

168,330 -
FDW262P

数据表

PowerTrench® 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Bulk Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.5A (Ta) 1.8V, 4.5V 47mOhm @ 4.5A, 4.5V Surface Mount 1.5V @ 250µA 18 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 1193 pF @ 10 V - - 8-TSSOP - 1.3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDMS8674

FDMS8674

MOSFET N-CH 30V 17A/21A 8PQFN

Fairchild Semiconductor

147,879 -
FDMS8674

数据表

PowerTrench® 8-PowerTDFN Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 17A (Ta), 21A (Tc) 4.5V, 10V 5mOhm @ 17A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 37 nC @ 10 V 30 V ±20V 2320 pF @ 15 V - - 8-PQFN (5x6) - 2.5W (Ta), 78W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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