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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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FDS8449-G

FDS8449-G

FDS8449 - 40V MOSFET N CHANNEL

Fairchild Semiconductor

1,646 -
FDS8449-G

数据表

PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 7.6A (Ta) 4.5V, 10V 29mOhm @ 7.6A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 11 nC @ 5 V 40 V ±20V 760 pF @ 20 V - - 8-SOIC - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDS6298

FDS6298

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Fairchild Semiconductor

244,466 -
FDS6298

数据表

PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 13A (Ta) 4.5V, 10V 9mOhm @ 13A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 14 nC @ 5 V 30 V ±20V 1108 pF @ 15 V - - 8-SOIC - 3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDMS7672

FDMS7672

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Fairchild Semiconductor

3,000 -
FDMS7672

数据表

PowerTrench® 8-PowerTDFN Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 19A (Ta), 28A (Tc) 4.5V, 10V 5mOhm @ 19A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 44 nC @ 10 V 30 V ±20V 2960 pF @ 15 V - - Power56 - 2.5W (Ta), 48W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
NDP4050

NDP4050

NDP4050 - 15A, 50V, 0.1OHM, N-CH

Fairchild Semiconductor

1,980 -
NDP4050

数据表

- TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 15A (Tc) - 100mOhm @ 7.5A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 17 nC @ 10 V 50 V - 450 pF @ 25 V - - TO-220-3 - - -
FDS6692A

FDS6692A

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9

Fairchild Semiconductor

1,731 -
FDS6692A

数据表

PowerTrench® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 9A (Ta) 4.5V, 10V 11.5mOhm @ 9A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 29 nC @ 10 V 30 V ±20V 1610 pF @ 15 V - - 8-SOIC - 1.47W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
NDP5060

NDP5060

NDP5060 - 26A, 60V, 0.05OHM, N-C

Fairchild Semiconductor

1,080 -
NDP5060

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
FDS6676AS

FDS6676AS

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Fairchild Semiconductor

5,369 -
FDS6676AS

数据表

PowerTrench®, SyncFET™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 14.5A (Ta) 4.5V, 10V 6mOhm @ 14.5A, 10V Surface Mount 3V @ 1mA 63 nC @ 10 V 30 V ±20V 2510 pF @ 15 V - - 8-SOIC - 2.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
FDMS7570S

FDMS7570S

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

Fairchild Semiconductor

17,297 -
FDMS7570S

数据表

PowerTrench®, SyncFET™ 8-PowerTDFN Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 28A (Ta), 49A (Tc) 4.5V, 10V 1.95mOhm @ 28A, 10V Surface Mount 3V @ 1mA 69 nC @ 10 V 25 V ±20V 4515 pF @ 13 V - - 8-PQFN (5x6) - 2.5W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FQP4N20L

FQP4N20L

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

Fairchild Semiconductor

2,000 -
FQP4N20L

数据表

QFET® TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.8A (Tc) 5V, 10V 1.35Ohm @ 1.9A, 10V Through Hole 2V @ 250µA 5.2 nC @ 5 V 200 V ±20V 310 pF @ 25 V - - TO-220-3 - 45W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
FQU5N40TU

FQU5N40TU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

Fairchild Semiconductor

36,535 -
FQU5N40TU

数据表

QFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.4A (Tc) 10V 1.6Ohm @ 1.7A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 13 nC @ 10 V 400 V ±30V 460 pF @ 25 V - - IPAK - 2.5W (Ta), 45W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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