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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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SIHA12N60E-E3

SIHA12N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 12A TO220

Vishay Siliconix

923 -
SIHA12N60E-E3

数据表

- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12A (Tc) 10V 380mOhm @ 6A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 58 nC @ 10 V 600 V ±30V 937 pF @ 100 V - - TO-220 Full Pack - 33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SIHD186N60EF-GE3

SIHD186N60EF-GE3

MOSFET N-CH 600V 19A DPAK

Vishay Siliconix

6,140 -
SIHD186N60EF-GE3

数据表

EF TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 19A (Tc) 10V 201mOhm @ 9.5A, 10V Surface Mount 5V @ 250µA 32 nC @ 10 V 600 V ±30V 1118 pF @ 100 V - - TO-252AA - 156W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI4368DY-T1-E3

SI4368DY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 17A 8SO

Vishay Siliconix

1,110 -
SI4368DY-T1-E3

数据表

TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 17A (Ta) 4.5V, 10V 3.2mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 1.8V @ 250µA 80 nC @ 4.5 V 30 V ±12V 8340 pF @ 15 V - - 8-SOIC - 1.6W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI1300BDL-T1-E3

SI1300BDL-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 400MA SC70-3

Vishay Siliconix

8,930 -
SI1300BDL-T1-E3

数据表

TrenchFET® SC-70, SOT-323 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 400mA (Tc) 2.5V, 4.5V 850mOhm @ 250mA, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 0.84 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 35 pF @ 10 V - - SC-70-3 - 190mW (Ta), 200mW (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI1304BDL-T1-E3

SI1304BDL-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 900MA SC70-3

Vishay Siliconix

2,748 -
SI1304BDL-T1-E3

数据表

TrenchFET® SC-70, SOT-323 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900mA (Tc) 2.5V, 4.5V 270mOhm @ 900mA, 4.5V Surface Mount 1.3V @ 250µA 2.7 nC @ 4.5 V 30 V ±12V 100 pF @ 15 V - - SC-70-3 - 340mW (Ta), 370mW (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SIHF12N65E-GE3

SIHF12N65E-GE3

MOSFET N-CH 650V 12A TO220

Vishay Siliconix

993 -
SIHF12N65E-GE3

数据表

- TO-220-3 Full Pack Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12A (Tc) 10V 380mOhm @ 6A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 70 nC @ 10 V 650 V ±30V 1224 pF @ 100 V - - TO-220 Full Pack - 33W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRF840ASTRLPBF

IRF840ASTRLPBF

MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK

Vishay Siliconix

675 -
IRF840ASTRLPBF

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8A (Tc) 10V 850mOhm @ 4.8A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V 500 V ±30V 1018 pF @ 25 V - - TO-263 (D2PAK) - 3.1W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SIDR104ADP-T1-RE3

SIDR104ADP-T1-RE3

MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK

Vishay Siliconix

5,920 -
SIDR104ADP-T1-RE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 18.8A (Ta), 81A (Tc) 7.5V, 10V 6.1mOhm @ 15A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 70 nC @ 10 V 100 V ±20V 3250 pF @ 50 V - - PowerPAK® SO-8DC - 5.4W (Ta), 100W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SUD50P04-23-E3

SUD50P04-23-E3

MOSFET P-CH 40V 8.2A/20A TO252

Vishay Siliconix

8,193 -
SUD50P04-23-E3

数据表

TrenchFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8.2A (Ta), 20A (Tc) 4.5V, 10V 23mOhm @ 15A, 10V Surface Mount 2V @ 250µA 65 nC @ 10 V 40 V ±16V 1880 pF @ 20 V - - TO-252AA - 3.1W (Ta), 45.4W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SI4104DY-T1-E3

SI4104DY-T1-E3

MOSFET N-CH 100V 4.6A 8SO

Vishay Siliconix

3,529 -
SI4104DY-T1-E3

数据表

TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.6A (Tc) 10V 105mOhm @ 5A, 10V Surface Mount 4.5V @ 250µA 13 nC @ 10 V 100 V ±20V 446 pF @ 50 V - - 8-SOIC - 2.5W (Ta), 5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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