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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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TN0201K-T1-E3

TN0201K-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 420MA SOT23-3

Vishay Siliconix

9,266 -
TN0201K-T1-E3

数据表

TrenchFET® TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 420mA (Ta) 4.5V, 10V 1Ohm @ 300mA, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 1.5 nC @ 10 V 20 V ±20V - - - SOT-23-3 (TO-236) - 350mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI1304BDL-T1-GE3

SI1304BDL-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 900MA SC70-3

Vishay Siliconix

2,517 -
SI1304BDL-T1-GE3

数据表

TrenchFET® SC-70, SOT-323 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900mA (Tc) 2.5V, 4.5V 270mOhm @ 900mA, 4.5V Surface Mount 1.3V @ 250µA 2.7 nC @ 4.5 V 30 V ±12V 100 pF @ 15 V - - SC-70-3 - 340mW (Ta), 370mW (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI4778DY-T1-GE3

SI4778DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 8A 8SO

Vishay Siliconix

6,787 -
SI4778DY-T1-GE3

数据表

TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8A (Tc) 4.5V, 10V 23mOhm @ 7A, 10V Surface Mount 2.2V @ 250µA 18 nC @ 10 V 25 V ±16V 680 pF @ 13 V - - 8-SOIC - 2.4W (Ta), 5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI5415AEDU-T1-GE3

SI5415AEDU-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 25A PPAK

Vishay Siliconix

8,817 -
SI5415AEDU-T1-GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® ChipFET™ Single Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25A (Tc) 1.8V, 4.5V 9.6mOhm @ 10A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 120 nC @ 8 V 20 V ±8V 4300 pF @ 10 V - - PowerPAK® ChipFet Single - 3.1W (Ta), 31W (Tc) -50°C ~ 150°C (TJ)
SIHFR430ATR-GE3

SIHFR430ATR-GE3

MOSFET N-CH 500V 5A DPAK

Vishay Siliconix

9,739 -
SIHFR430ATR-GE3

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5A (Tc) 10V 1.7Ohm @ 3A, 10V Surface Mount 4.5V @ 250µA 24 nC @ 10 V 500 V ±30V 490 pF @ 25 V - - TO-252AA - 110W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI5473DC-T1-E3

SI5473DC-T1-E3

MOSFET P-CH 12V 5.9A 1206-8

Vishay Siliconix

7,494 -
SI5473DC-T1-E3

数据表

TrenchFET® 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5.9A (Ta) 1.8V, 4.5V 27mOhm @ 5.9A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 32 nC @ 4.5 V 12 V ±8V - - - 1206-8 ChipFET™ - 1.3W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
SQJ418EP-T2_GE3

SQJ418EP-T2_GE3

MOSFET N-CH 100V 48A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

3,178 -
SQJ418EP-T2_GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 48A (Tc) 10V 14mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 3.5V @ 250µA 35 nC @ 10 V 100 V ±20V 1700 pF @ 25 V - - PowerPAK® SO-8 - 68W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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