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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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SUD35N10-26P-BE3

SUD35N10-26P-BE3

MOSFET N-CH 100V 12A/35A DPAK

Vishay Siliconix

1,504 -
SUD35N10-26P-BE3

数据表

TrenchFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12A (Ta), 35A (Tc) 7V, 10V 26mOhm @ 12A, 10V Surface Mount 4.4V @ 250µA 47 nC @ 10 V 100 V ±20V 2000 pF @ 12 V - - TO-252AA - 8.3W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IRFBC40PBF-BE3

IRFBC40PBF-BE3

MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB

Vishay Siliconix

1,018 -
IRFBC40PBF-BE3

数据表

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 6.2A (Tc) - 1.2Ohm @ 3.7A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 60 nC @ 10 V 600 V ±20V 1300 pF @ 25 V - - TO-220AB - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SIHJ8N60E-T1-GE3

SIHJ8N60E-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 8A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

2,881 -
SIHJ8N60E-T1-GE3

数据表

- PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8A (Tc) 10V 520mOhm @ 4A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 44 nC @ 10 V 600 V ±30V 754 pF @ 100 V - - PowerPAK® SO-8 - 89W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRFBC30ASPBF

IRFBC30ASPBF

MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK

Vishay Siliconix

2,169 -
IRFBC30ASPBF

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.6A (Tc) 10V 2.2Ohm @ 2.2A, 10V Surface Mount 4.5V @ 250µA 23 nC @ 10 V 600 V ±30V 510 pF @ 25 V - - TO-263 (D2PAK) - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SQJQ150E-T1_GE3

SQJQ150E-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)

Vishay Siliconix

1,960 -
SQJQ150E-T1_GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® 8 x 8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 233A (Tc) 10V 1.9mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 3.5V @ 250µA 92 nC @ 10 V 40 V ±20V 4643 pF @ 25 V AEC-Q101 - PowerPAK® 8 x 8 Automotive 187W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IRF830SPBF

IRF830SPBF

MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK

Vishay Siliconix

1,078 -
IRF830SPBF

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.5A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 2.7A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V 500 V ±20V 610 pF @ 25 V - - TO-263 (D2PAK) - 3.1W (Ta), 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SIDR638DP-T1-RE3

SIDR638DP-T1-RE3

N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

Vishay Siliconix

12,000 -
SIDR638DP-T1-RE3

数据表

TrenchFET® Gen IV PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 64.6A (Ta), 100A (Tc) 4.5V, 10V 0.88mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 2.3V @ 250µA 204 nC @ 10 V 40 V +20V, -16V 10500 pF @ 20 V - - PowerPAK® SO-8DC - 6.25W (Ta), 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRFR9220TRLPBF

IRFR9220TRLPBF

MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK

Vishay Siliconix

2,455 -
IRFR9220TRLPBF

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.6A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 2.2A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 20 nC @ 10 V 200 V ±20V 340 pF @ 25 V - - DPAK - 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRFIBE30GPBF

IRFIBE30GPBF

MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3

Vishay Siliconix

1,824 -
IRFIBE30GPBF

数据表

- TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.1A (Tc) 10V 3Ohm @ 1.3A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 78 nC @ 10 V 800 V ±20V 1300 pF @ 25 V - - TO-220-3 - 35W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI1400DL-T1-E3

SI1400DL-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 1.6A SC70-6

Vishay Siliconix

4,482 -
SI1400DL-T1-E3

数据表

TrenchFET® 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.6A (Ta) 2.5V, 4.5V 150mOhm @ 1.7A, 4.5V Surface Mount 600mV @ 250µA (Min) 4 nC @ 4.5 V 20 V ±12V - - - SC-70-6 - 568mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
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