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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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IRFR1N60ATRR

IRFR1N60ATRR

MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK

Vishay Siliconix

7,717 -
IRFR1N60ATRR

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.4A (Tc) 10V 7Ohm @ 840mA, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V 600 V ±30V 229 pF @ 25 V - - DPAK - 36W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI6465DQ-T1-E3

SI6465DQ-T1-E3

MOSFET P-CH 8V 8.8A 8TSSOP

Vishay Siliconix

7,157 -
SI6465DQ-T1-E3

数据表

TrenchFET® 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8.8A (Ta) 1.8V, 4.5V 12mOhm @ 8.8A, 4.5V Surface Mount 450mV @ 250µA (Min) 80 nC @ 4.5 V 8 V ±8V - - - 8-TSSOP - 1.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
SIHB10N40D-GE3

SIHB10N40D-GE3

MOSFET N-CH 400V 10A TO263

Vishay Siliconix

3,802 -
SIHB10N40D-GE3

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 10A (Tc) 10V 600mOhm @ 5A, 10V Surface Mount 5V @ 250µA 30 nC @ 10 V 400 V ±30V 526 pF @ 100 V - - TO-263 (D2PAK) - 147W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI1072X-T1-E3

SI1072X-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 1.3A SC89-6

Vishay Siliconix

3,096 -
SI1072X-T1-E3

数据表

TrenchFET® SOT-563, SOT-666 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.3A (Ta) 4.5V, 10V 93mOhm @ 1.3A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 8.3 nC @ 10 V 30 V ±20V 280 pF @ 15 V - - SC-89 (SOT-563F) - 236mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
SIR468DP-T1-GE3

SIR468DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

7,206 -
SIR468DP-T1-GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40A (Tc) 4.5V, 10V 5.7mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 44 nC @ 10 V 30 V ±20V 1720 pF @ 15 V - - PowerPAK® SO-8 - 5W (Ta), 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SIS452DN-T1-GE3

SIS452DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 35A PPAK1212-8

Vishay Siliconix

8,206 -
SIS452DN-T1-GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 35A (Tc) 4.5V, 10V 3.25mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 2.2V @ 250µA 41 nC @ 10 V 12 V ±20V 1700 pF @ 6 V - - PowerPAK® 1212-8 - 3.8W (Ta), 52W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SIHU4N80E-GE3

SIHU4N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 4.3A IPAK

Vishay Siliconix

3,544 -
SIHU4N80E-GE3

数据表

E TO-251-3 Long Leads, IPAK, TO-251AB Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.3A (Tc) 10V 1.27Ohm @ 2A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 32 nC @ 10 V 800 V ±30V 622 pF @ 100 V - - IPAK (TO-251) - 69W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRFBC30PBF-BE3

IRFBC30PBF-BE3

MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB

Vishay Siliconix

8,310 -
IRFBC30PBF-BE3

数据表

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.6A (Tc) 10V 2.2Ohm @ 2.2A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 31 nC @ 10 V 600 V ±20V 660 pF @ 25 V - - TO-220AB - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRFR9310TRR

IRFR9310TRR

MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK

Vishay Siliconix

5,448 -
IRFR9310TRR

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.8A (Tc) 10V 7Ohm @ 1.1A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 13 nC @ 10 V 400 V ±20V 270 pF @ 25 V - - DPAK - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRF610LPBF

IRF610LPBF

MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK

Vishay Siliconix

7,224 -
IRF610LPBF

数据表

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.3A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 2A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 8.2 nC @ 10 V 200 V ±20V 140 pF @ 25 V - - I2PAK - 3W (Ta), 36W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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