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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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SIHD2N80AE-GE3

SIHD2N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK

Vishay Siliconix

3,000 -
SIHD2N80AE-GE3

数据表

E TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.9A (Tc) 10V 2.9Ohm @ 500mA, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 10.5 nC @ 10 V 800 V ±30V 180 pF @ 100 V - - TO-252AA - 62.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRF9Z14LPBF

IRF9Z14LPBF

MOSFET P-CH 60V 6.7A I2PAK

Vishay Siliconix

5,845 -
IRF9Z14LPBF

数据表

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 6.7A (Tc) 10V 500mOhm @ 4A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 12 nC @ 10 V 60 V ±20V 270 pF @ 25 V - - I2PAK - 3.7W (Ta), 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IRFBC30ALPBF

IRFBC30ALPBF

MOSFET N-CH 600V 3.6A I2PAK

Vishay Siliconix

9,553 -
IRFBC30ALPBF

数据表

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.6A (Tc) 10V 2.2Ohm @ 2.2A, 10V Through Hole 4.5V @ 250µA 23 nC @ 10 V 600 V ±30V 510 pF @ 25 V - - I2PAK - 74W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SIHP10N40D-E3

SIHP10N40D-E3

MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB

Vishay Siliconix

5,047 -
SIHP10N40D-E3

数据表

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 10A (Tc) 10V 600mOhm @ 5A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 30 nC @ 10 V 400 V ±30V 526 pF @ 100 V - - TO-220AB - 147W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRF610STRRPBF

IRF610STRRPBF

MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK

Vishay Siliconix

7,589 -
IRF610STRRPBF

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.3A (Tc) 10V 1.5Ohm @ 2A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 8.2 nC @ 10 V 200 V ±20V 140 pF @ 25 V - - TO-263 (D2PAK) - 3W (Ta), 36W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRF614STRRPBF

IRF614STRRPBF

MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK

Vishay Siliconix

6,204 -
IRF614STRRPBF

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.7A (Tc) 10V 2Ohm @ 1.6A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 8.2 nC @ 10 V 250 V ±20V 140 pF @ 25 V - - TO-263 (D2PAK) - 3.1W (Ta), 36W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SQ3456BEV-T1_GE3

SQ3456BEV-T1_GE3

MOSFET N-CH 30V 7.8A 6TSOP

Vishay Siliconix

6,687 -
SQ3456BEV-T1_GE3

数据表

TrenchFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 7.8A (Tc) 4.5V, 10V 35mOhm @ 6A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 10 nC @ 10 V 30 V ±20V 370 pF @ 15 V - - 6-TSOP - 4W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SQ3425EV-T1_GE3

SQ3425EV-T1_GE3

MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP

Vishay Siliconix

9,273 -
SQ3425EV-T1_GE3

数据表

TrenchFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 7.4A (Tc) 2.5V, 4.5V 60mOhm @ 4.7A, 4.5V Surface Mount 1.4V @ 250µA 10.3 nC @ 4.5 V 20 V ±12V 840 pF @ 10 V AEC-Q101 - 6-TSOP Automotive 5W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SQ3427EV-T1_BE3

SQ3427EV-T1_BE3

MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP

Vishay Siliconix

5,740 -
SQ3427EV-T1_BE3

数据表

TrenchFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5.3A (Tc) 4.5V, 10V 95mOhm @ 4.5A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 22 nC @ 10 V 60 V ±20V 1000 pF @ 30 V AEC-Q101 - 6-TSOP Automotive 5W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SQ3425EV-T1_BE3

SQ3425EV-T1_BE3

MOSFET P-CH 20V 7.4A 6-TSOP

Vishay Siliconix

6,881 -
SQ3425EV-T1_BE3

数据表

TrenchFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 7.4A (Tc) 2.5V, 4.5V 60mOhm @ 4.7A, 4.5V Surface Mount 1.4V @ 250µA 10.3 nC @ 4.5 V 20 V ±12V 840 pF @ 10 V AEC-Q101 - 6-TSOP Automotive 5W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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