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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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SI3447CDV-T1-E3

SI3447CDV-T1-E3

MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP

Vishay Siliconix

2,480 -
SI3447CDV-T1-E3

数据表

TrenchFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 7.8A (Tc) 4.5V 36mOhm @ 6.3A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 30 nC @ 8 V 12 V ±8V 910 pF @ 6 V - - 6-TSOP - 2W (Ta), 3W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SIA467EDJ-T1-GE3

SIA467EDJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 31A PPAK SC70-6

Vishay Siliconix

9,637 -
SIA467EDJ-T1-GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® SC-70-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 31A (Tc) 1.8V, 4.5V 13mOhm @ 5A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 72 nC @ 8 V 12 V ±8V 2520 pF @ 6 V - - PowerPAK® SC-70-6 Single - 3.5W (Ta), 19W (Tc) -50°C ~ 150°C (TJ)
SISA34DN-T1-GE3

SISA34DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8

Vishay Siliconix

4,935 -
SISA34DN-T1-GE3

数据表

TrenchFET® Gen IV PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40A (Tc) 4.5V, 10V 6.7mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 2.4V @ 250µA 12 nC @ 4.5 V 30 V +20V, -16V 1100 pF @ 15 V - - PowerPAK® 1212-8 - 20.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SIA430DJ-T4-GE3

SIA430DJ-T4-GE3

MOSFET N-CH 20V 12A/12A PPAK

Vishay Siliconix

2,091 -
SIA430DJ-T4-GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® SC-70-6 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12A (Ta), 12A (Tc) 4.5V, 10V 13.5mOhm @ 7A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 18 nC @ 10 V 20 V ±20V 800 pF @ 10 V - - PowerPAK® SC-70-6 - 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SIA444DJT-T4-GE3

SIA444DJT-T4-GE3

MOSFET N-CH 30V 11A/12A PPAK

Vishay Siliconix

9,676 -
SIA444DJT-T4-GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® SC-70-6 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 11A (Ta), 12A (Tc) 4.5V, 10V 17mOhm @ 7.4A, 10V Surface Mount 2.2V @ 250µA 15 nC @ 10 V 30 V ±20V 560 pF @ 15 V - - PowerPAK® SC-70-6 - 3.5W (Ta), 19W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SIA462DJ-T4-GE3

SIA462DJ-T4-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A/12A PPAK

Vishay Siliconix

8,107 -
SIA462DJ-T4-GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® SC-70-6 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12A (Ta), 12A (Tc) 4.5V, 10V 18mOhm @ 9A, 10V Surface Mount 2.4V @ 250µA 17 nC @ 10 V 30 V ±20V 570 pF @ 15 V - - PowerPAK® SC-70-6 - 3.5W (Ta), 19W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SQM30010EL_GE3

SQM30010EL_GE3

MOSFET N-CH 30V 120A TO263

Vishay Siliconix

5,229 -
SQM30010EL_GE3

数据表

TrenchFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120A (Tc) 10V 1.35mOhm @ 40A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 450 nC @ 10 V 30 V ±20V 28000 pF @ 15 V AEC-Q101 - TO-263 (D2PAK) Automotive 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IRFC430

IRFC430

MOSFET N-CH 500V TO PKG

Vishay Siliconix

3,614 -
IRFC430

数据表

- - Tube Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
SI1315DL-T1-GE3

SI1315DL-T1-GE3

MOSFET P-CH 8V 900MA SOT323

Vishay Siliconix

5,888 -
SI1315DL-T1-GE3

数据表

TrenchFET® SC-70, SOT-323 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900mA (Tc) 1.8V, 4.5V 336mOhm @ 800mA, 4.5V Surface Mount 800mV @ 250µA 3.4 nC @ 4.5 V 8 V ±8V 112 pF @ 4 V - - SC-70-3 - 300mW (Ta), 400mW (Tc) -50°C ~ 150°C (TJ)
SI3475DV-T1-E3

SI3475DV-T1-E3

MOSFET P-CH 200V 950MA 6TSOP

Vishay Siliconix

5,510 -
SI3475DV-T1-E3

数据表

TrenchFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 950mA (Tc) 6V, 10V 1.61Ohm @ 900mA, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 18 nC @ 10 V 200 V ±20V 500 pF @ 50 V - - 6-TSOP - 2W (Ta), 3.2W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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