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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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SI5856DC-T1-E3

SI5856DC-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 4.4A 1206-8

Vishay Siliconix

3,634 -
SI5856DC-T1-E3

数据表

TrenchFET® 8-SMD, Flat Leads Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.4A (Ta) 1.8V, 4.5V 40mOhm @ 4.4A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 7.5 nC @ 4.5 V 20 V ±8V - - Schottky Diode (Isolated) 1206-8 ChipFET™ - 1.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI8404DB-T1-E1

SI8404DB-T1-E1

MOSFET N-CH 8V 12.2A 4MICROFOOT

Vishay Siliconix

7,639 -
SI8404DB-T1-E1

数据表

TrenchFET® 4-XFBGA, CSPBGA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12.2A (Tc) 1.8V, 4.5V 31mOhm @ 1A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 33 nC @ 5 V 8 V ±5V 1950 pF @ 4 V - - 4-Microfoot - 2.78W (Ta), 6.25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SIB417EDK-T1-GE3

SIB417EDK-T1-GE3

MOSFET P-CH 8V 9A PPAK SC75-6

Vishay Siliconix

9,295 -
SIB417EDK-T1-GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® SC-75-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 9A (Tc) 1.2V, 4.5V 58mOhm @ 5.8A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 12 nC @ 5 V 8 V ±5V 565 pF @ 4 V - - PowerPAK® SC-75-6 - 2.4W (Ta), 13W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SQD40020EL_GE3

SQD40020EL_GE3

MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA

Vishay Siliconix

4,027 -
SQD40020EL_GE3

数据表

TrenchFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100A (Tc) 4.5V, 10V 2.2mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 2.2V @ 250µA 165 nC @ 20 V 40 V ±20V 8800 pF @ 25 V AEC-Q101 - TO-252AA Automotive 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SQD40020E_GE3

SQD40020E_GE3

MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA

Vishay Siliconix

6,822 -
SQD40020E_GE3

数据表

TrenchFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100A (Tc) 10V 2.33mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 3.5V @ 250µA 130 nC @ 10 V 40 V ±20V 8000 pF @ 25 V AEC-Q101 - TO-252AA Automotive 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SQM40020E_GE3

SQM40020E_GE3

MOSFET N-CH 40V 100A TO263

Vishay Siliconix

9,786 -
SQM40020E_GE3

数据表

TrenchFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100A (Tc) 10V 2.33mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 3.5V @ 250µA 130 nC @ 10 V 40 V ±20V 8000 pF @ 25 V AEC-Q101 - TO-263 (D2PAK) Automotive 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IRFL214PBF

IRFL214PBF

MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223

Vishay Siliconix

6,972 -
IRFL214PBF

数据表

- TO-261-4, TO-261AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 790mA (Tc) 10V 2Ohm @ 470mA, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 8.2 nC @ 10 V 250 V ±20V 140 pF @ 25 V - - SOT-223 - 2W (Ta), 3.1W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SQS423ENW-T1_GE3

SQS423ENW-T1_GE3

MOSFET P-CH 30V 16A PPAK 1212-8W

Vishay Siliconix

3,759 -
SQS423ENW-T1_GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® 1212-8W Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 16A (Tc) 4.5V, 10V 21mOhm @ 12A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 26 nC @ 4.5 V 30 V ±20V 1975 pF @ 15 V AEC-Q101 - PowerPAK® 1212-8W Automotive 62.5W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SQD30N05-20L_T4GE3

SQD30N05-20L_T4GE3

MOSFET N-CH 55V 30A TO252AA

Vishay Siliconix

8,826 -
SQD30N05-20L_T4GE3

数据表

TrenchFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30A (Tc) 4.5V, 10V 20mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 18 nC @ 5 V 55 V ±20V 1175 pF @ 25 V AEC-Q101 - TO-252AA Automotive 50W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SQD100N02_3M5L4GE3

SQD100N02_3M5L4GE3

MOSFET N-CH 20V 100A TO252AA

Vishay Siliconix

7,926 -
SQD100N02_3M5L4GE3

数据表

TrenchFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100A (Tc) 4.5V, 10V 3.5mOhm @ 30A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 110 nC @ 10 V 20 V ±20V 5500 pF @ 10 V AEC-Q101 - TO-252AA Automotive 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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