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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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SIHFR1N60ATR-GE3

SIHFR1N60ATR-GE3

MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK

Vishay Siliconix

5,214 -
SIHFR1N60ATR-GE3

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.4A (Tc) 10V 7Ohm @ 840mA, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V 600 V ±30V 229 pF @ 25 V - - TO-252AA - 36W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SQ7414AEN-T1_BE3

SQ7414AEN-T1_BE3

MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK 1212-8

Vishay Siliconix

3,762 -
SQ7414AEN-T1_BE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 16A (Tc) 4.5V, 10V 26mOhm @ 5.7A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 24 nC @ 10 V 60 V ±20V 980 pF @ 30 V AEC-Q101 - PowerPAK® 1212-8 Automotive 62W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SIHFR420A-GE3

SIHFR420A-GE3

MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK

Vishay Siliconix

8,200 -
SIHFR420A-GE3

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.3A (Tc) 10V 3Ohm @ 1.5A, 10V Surface Mount 4.5V @ 250µA 17 nC @ 10 V 500 V ±30V 3400 pF @ 25 V - - TO-252AA - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI2302ADS-T1

SI2302ADS-T1

MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3

Vishay Siliconix

3,992 -
SI2302ADS-T1

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.1A (Ta) 2.5V, 4.5V 60mOhm @ 3.6A, 4.5V Surface Mount 1.2V @ 50µA 10 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 300 pF @ 10 V - - SOT-23-3 (TO-236) - 700mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI1037X-T1-GE3

SI1037X-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 770MA SC89

Vishay Siliconix

6,022 -
SI1037X-T1-GE3

数据表

TrenchFET® SOT-563, SOT-666 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 770mA (Ta) 1.8V, 4.5V 195mOhm @ 770mA, 4.5V Surface Mount 450mV @ 250µA (Min) 5.5 nC @ 4.5 V 20 V ±8V - - - SC-89 (SOT-563F) - 170mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
V30408-T1-GE3

V30408-T1-GE3

MOSFET N-CH SMD

Vishay Siliconix

7,880 -
V30408-T1-GE3

数据表

* - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
V30410-T1-GE3

V30410-T1-GE3

MOSFET N-CH SMD

Vishay Siliconix

8,792 -
V30410-T1-GE3

数据表

* - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
V30429-T1-GE3

V30429-T1-GE3

MOSFET N-CH SMD

Vishay Siliconix

2,317 -
V30429-T1-GE3

数据表

* - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
V30432-T1-GE3

V30432-T1-GE3

MOSFET N-CH SMD

Vishay Siliconix

7,213 -
V30432-T1-GE3

数据表

* - Tape & Reel (TR) Obsolete - - - - - - - - - - - - - - - - -
SIHFR420TRL-GE3

SIHFR420TRL-GE3

MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK

Vishay Siliconix

2,244 -
SIHFR420TRL-GE3

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.4A (Tc) 10V 3Ohm @ 1.4A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 19 nC @ 10 V 500 V ±20V 360 pF @ 25 V - - TO-252AA - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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