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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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SI2302ADS-T1-GE3

SI2302ADS-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3

Vishay Siliconix

7,360 -
SI2302ADS-T1-GE3

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.1A (Ta) 2.5V, 4.5V 60mOhm @ 3.6A, 4.5V Surface Mount 1.2V @ 50µA 10 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 300 pF @ 10 V - - SOT-23-3 (TO-236) - 700mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
SIA439EDJ-T1-GE3

SIA439EDJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 28A PPAK SC70-6

Vishay Siliconix

3,415 -
SIA439EDJ-T1-GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® SC-70-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 28A (Tc) 1.8V, 4.5V 16.5mOhm @ 5A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 69 nC @ 8 V 20 V ±8V 2410 pF @ 10 V - - PowerPAK® SC-70-6 - 3.5W (Ta), 19W (Tc) -50°C ~ 150°C (TJ)
SI1305DL-T1-E3

SI1305DL-T1-E3

MOSFET P-CH 8V 860MA SC70-3

Vishay Siliconix

8,348 -
SI1305DL-T1-E3

数据表

TrenchFET® SC-70, SOT-323 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 860mA (Ta) 1.8V, 4.5V 280mOhm @ 1A, 4.5V Surface Mount 450mV @ 250µA (Min) 4 nC @ 4.5 V 8 V ±8V - - - SC-70-3 - 290mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI1472DH-T1-E3

SI1472DH-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 5.6A SC70-6

Vishay Siliconix

5,396 -
SI1472DH-T1-E3

数据表

TrenchFET® 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5.6A (Tc) 4.5V, 10V 57mOhm @ 4.2A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 11 nC @ 10 V 30 V ±20V 380 pF @ 15 V - - SC-70-6 - 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SIS429DNT-T1-GE3

SIS429DNT-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 20A PPAK1212-8

Vishay Siliconix

7,141 -
SIS429DNT-T1-GE3

数据表

- PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20A (Tc) 4.5V, 10V 21mOhm @ 10.5A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 50 nC @ 10 V 30 V ±20V 1350 pF @ 15 V - - PowerPAK® 1212-8 - 27.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI1305EDL-T1-E3

SI1305EDL-T1-E3

MOSFET P-CH 8V 860MA SC70-3

Vishay Siliconix

2,795 -
SI1305EDL-T1-E3

数据表

- SC-70, SOT-323 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 860mA (Ta) 1.8V, 4.5V 280mOhm @ 1A, 4.5V Surface Mount 450mV @ 250µA (Min) 4 nC @ 4.5 V 8 V ±8V - - - SC-70-3 - 290mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI3456CDV-T1-E3

SI3456CDV-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 7.7A 6TSOP

Vishay Siliconix

3,004 -
SI3456CDV-T1-E3

数据表

TrenchFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 7.7A (Tc) 4.5V, 10V 34mOhm @ 6.1A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 12 nC @ 10 V 30 V ±20V 460 pF @ 15 V - - 6-TSOP - 2W (Ta), 3.3W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI3456CDV-T1-GE3

SI3456CDV-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 7.7A 6TSOP

Vishay Siliconix

4,635 -
SI3456CDV-T1-GE3

数据表

TrenchFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 7.7A (Tc) 4.5V, 10V 34mOhm @ 6.1A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 12 nC @ 10 V 30 V ±20V 460 pF @ 15 V - - 6-TSOP - 2W (Ta), 3.3W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SIA465EDJ-T1-GE3

SIA465EDJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6

Vishay Siliconix

4,290 -
SIA465EDJ-T1-GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® SC-70-6 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12A (Tc) 2.5V, 4.5V 16.5mOhm @ 7A, 4.5V Surface Mount 1.2V @ 250µA 72 nC @ 10 V 20 V ±12V 2130 pF @ 10 V - - PowerPAK® SC-70-6 Single - 19W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SIA472EDJ-T1-GE3

SIA472EDJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6

Vishay Siliconix

5,800 -
SIA472EDJ-T1-GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® SC-70-6 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12A (Tc) 2.5V, 4.5V 20mOhm @ 10.8A, 4.5V Surface Mount 1.5V @ 250µA 36 nC @ 10 V 30 V ±12V 1265 pF @ 15 V - - PowerPAK® SC-70-6 Single - 19.2W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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