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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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IRFU020PBF

IRFU020PBF

MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA

Vishay Siliconix

5,779 -
IRFU020PBF

数据表

- TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 14A (Tc) 10V 100mOhm @ 8.4A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 25 nC @ 10 V 60 V ±20V 640 pF @ 25 V - - TO-251AA - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRFR224TRLPBF

IRFR224TRLPBF

MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK

Vishay Siliconix

2,351 -
IRFR224TRLPBF

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.8A (Tc) 10V 1.1Ohm @ 2.3A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V 250 V ±20V 260 pF @ 25 V - - DPAK - 2.5W (Ta), 42W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRFR1N60ATRRPBF

IRFR1N60ATRRPBF

MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK

Vishay Siliconix

9,966 -
IRFR1N60ATRRPBF

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.4A (Tc) 10V 7Ohm @ 840mA, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 14 nC @ 10 V 600 V ±30V 229 pF @ 25 V - - DPAK - 36W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRFR420ATRLPBF

IRFR420ATRLPBF

MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK

Vishay Siliconix

4,695 -
IRFR420ATRLPBF

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.3A (Tc) 10V 3Ohm @ 1.5A, 10V Surface Mount 4.5V @ 250µA 17 nC @ 10 V 500 V ±30V 340 pF @ 25 V - - DPAK - 83W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI7634BDP-T1-E3

SI7634BDP-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

7,579 -
SI7634BDP-T1-E3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40A (Tc) 4.5V, 10V 5.4mOhm @ 15A, 10V Surface Mount 2.6V @ 250µA 68 nC @ 10 V 30 V ±20V 3150 pF @ 15 V - - PowerPAK® SO-8 - 5W (Ta), 48W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SIR800DP-T1-RE3

SIR800DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

2,145 -
SIR800DP-T1-RE3

数据表

TrenchFET® Gen III PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50A (Tc) 2.5V, 10V 2.3mOhm @ 15A, 10V Surface Mount 1.5V @ 250µA 133 nC @ 10 V 20 V ±12V 5125 pF @ 10 V - - PowerPAK® SO-8 - 69W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SQJ412EP-T2_GE3

SQJ412EP-T2_GE3

MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

9,412 -
SQJ412EP-T2_GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 32A (Tc) 4.5V, 10V 4.1mOhm @ 10.3A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 120 nC @ 10 V 40 V ±20V 5950 pF @ 20 V AEC-Q101 - PowerPAK® SO-8 Automotive 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SI1078X-T1-GE3

SI1078X-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F

Vishay Siliconix

4,687 -
SI1078X-T1-GE3

数据表

TrenchFET® SOT-563, SOT-666 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.02A (Tc) 2.5V, 10V 142mOhm @ 1A, 10V Surface Mount 1.5V @ 250µA 3 nC @ 4.5 V 30 V ±12V 110 pF @ 15 V - - - - 240mW (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI8481DB-T1-E1

SI8481DB-T1-E1

MOSFET P-CH 20V 9.7A 4MICRO FOOT

Vishay Siliconix

9,574 -
SI8481DB-T1-E1

数据表

TrenchFET® Gen III 4-UFBGA Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 9.7A (Tc) 1.8V, 4.5V 21mOhm @ 3A, 4.5V Surface Mount 900mV @ 250µA 47 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 2500 pF @ 10 V - - 4-MICRO FOOT® (1.6x1.6) - 2.8W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI2305CDS-T1-BE3

SI2305CDS-T1-BE3

P-CHANNEL 8-V (D-S) MOSFET

Vishay Siliconix

2,810 -
SI2305CDS-T1-BE3

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.4A (Ta), 5.8A (Tc) 1.8V, 4.5V 35mOhm @ 4.4A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 30 nC @ 8 V 8 V ±8V 960 pF @ 4 V - - SOT-23-3 (TO-236) - 960mW (Ta), 1.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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