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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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SI1079X-T1-GE3

SI1079X-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 1.44A SC89-6

Vishay Siliconix

4,890 -
SI1079X-T1-GE3

数据表

- SOT-563, SOT-666 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.44A (Ta) 2.5V, 4.5V 100mOhm @ 1.4A, 4.5V Surface Mount 1.5V @ 250µA 26 nC @ 10 V 30 V ±12V 750 pF @ 15 V - - SC-89-6 - 330mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI3440ADV-T1-BE3

SI3440ADV-T1-BE3

N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET

Vishay Siliconix

2,980 -
SI3440ADV-T1-BE3

数据表

TrenchFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.6A (Ta), 2.2A (Tc) 7.5V, 10V 380mOhm @ 1.5A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 4 nC @ 10 V 150 V ±20V 80 pF @ 75 V - - 6-TSOP - 2W (Ta), 3.6W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRFR9310TRRPBF

IRFR9310TRRPBF

MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK

Vishay Siliconix

9,666 -
IRFR9310TRRPBF

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.8A (Tc) 10V 7Ohm @ 1.1A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 13 nC @ 10 V 400 V ±20V 270 pF @ 25 V - - DPAK - 50W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SQA300CEJW-T1_GE3

SQA300CEJW-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)

Vishay Siliconix

2,980 -
SQA300CEJW-T1_GE3

数据表

- PowerPAK® SC-70-6 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5.63A (Tc) 4.5V, 10V 33mOhm @ 3A, 10V Surface Mount, Wettable Flank 2.5V @ 250µA 10 nC @ 10 V 30 V ±20V 365 pF @ 25 V AEC-Q101 - PowerPAK®SC-70W-6 Automotive 13.6W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SIA483ADJ-T1-GE3

SIA483ADJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 10.6A/12A PPAK

Vishay Siliconix

2,705 -
SIA483ADJ-T1-GE3

数据表

TrenchFET® Gen IV PowerPAK® SC-70-6 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 10.6A (Ta), 12A (Tc) 4.5V, 10V 20mOhm @ 5A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 26 nC @ 10 V 30 V +16V, -20V 950 pF @ 15 V - - PowerPAK® SC-70-6 - 3.4W (Ta), 17.9W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SUD50N03-06AP-T4E3

SUD50N03-06AP-T4E3

MOSFET N-CH 30V 90A TO252

Vishay Siliconix

4,926 -
SUD50N03-06AP-T4E3

数据表

TrenchFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 90A (Tc) 4.5V, 10V 5.7mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 2.4V @ 250µA 95 nC @ 10 V 30 V ±20V 3800 pF @ 15 V - - TO-252 - 10W (Ta), 83W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SI1021R-T1-E3

SI1021R-T1-E3

MOSFET P-CH 60V 190MA SC75A

Vishay Siliconix

2,465 -
SI1021R-T1-E3

数据表

TrenchFET® SC-75, SOT-416 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 190mA (Ta) 4.5V, 10V 4Ohm @ 500mA, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 1.7 nC @ 15 V 60 V ±20V 23 pF @ 25 V - - SC-75A - 250mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI1031R-T1-E3

SI1031R-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 140MA SC75A

Vishay Siliconix

2,943 -
SI1031R-T1-E3

数据表

TrenchFET® SC-75, SOT-416 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 140mA (Ta) 1.5V, 4.5V 8Ohm @ 150mA, 4.5V Surface Mount 1.2V @ 250µA 1.5 nC @ 4.5 V 20 V ±6V - - - SC-75A - 250mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI3434DV-T1-E3

SI3434DV-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP

Vishay Siliconix

5,323 -
SI3434DV-T1-E3

数据表

TrenchFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.6A (Ta) 2.5V, 4.5V 34mOhm @ 6.1A, 4.5V Surface Mount 600mV @ 1mA (Min) 12 nC @ 4.5 V 30 V ±12V - - - 6-TSOP - 1.14W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI1480BDH-T1-GE3

SI1480BDH-T1-GE3

N-CHNNEL 100-V (D-S) MOSFET SC70

Vishay Siliconix

11,620 -
SI1480BDH-T1-GE3

数据表

TrenchFET® 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.8A (Ta), 2.38A (Tc) 4.5V, 10V 212mOhm @ 2A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 6 nC @ 10 V 100 V ±20V 206 pF @ 50 V - - SC-70-6 - 1.5W (Ta), 2.6W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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