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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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SIA453EDJ-T1-GE3

SIA453EDJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 24A PPAK SC70-6

Vishay Siliconix

5,339 -
SIA453EDJ-T1-GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® SC-70-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 24A (Tc) 2.5V, 10V 18.5mOhm @ 5A, 10V Surface Mount 1.4V @ 250µA 66 nC @ 10 V 30 V ±12V 1900 pF @ 15 V - - PowerPAK® SC-70-6 - 3.5W (Ta), 19W (Tc) -50°C ~ 150°C (TJ)
SQ3481EV-T1_BE3

SQ3481EV-T1_BE3

MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP

Vishay Siliconix

9,451 -
SQ3481EV-T1_BE3

数据表

TrenchFET® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 7.5A (Tc) 4.5V, 10V 43mOhm @ 5.3A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 23.5 nC @ 10 V 30 V ±20V 870 pF @ 15 V AEC-Q101 - 6-TSOP Automotive 4W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SI4411DY-T1-E3

SI4411DY-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 9A 8SO

Vishay Siliconix

5,249 -
SI4411DY-T1-E3

数据表

TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 9A (Ta) 4.5V, 10V 10mOhm @ 13A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 65 nC @ 5 V 30 V ±20V - - - 8-SOIC - 1.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI4411DY-T1-GE3

SI4411DY-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 9A 8SO

Vishay Siliconix

7,449 -
SI4411DY-T1-GE3

数据表

TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 9A (Ta) 4.5V, 10V 10mOhm @ 13A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 65 nC @ 5 V 30 V ±20V - - - 8-SOIC - 1.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI3474DV-T1-BE3

SI3474DV-T1-BE3

N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

Vishay Siliconix

6,000 -
SI3474DV-T1-BE3

数据表

- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.8A (Ta), 3.8A (Tc) 4.5V, 10V 126mOhm @ 2A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 10.4 nC @ 10 V 100 V ±20V 196 pF @ 50 V - - 6-TSOP - 2W (Ta), 3.6W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRL510SPBF

IRL510SPBF

MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK

Vishay Siliconix

6,247 -
IRL510SPBF

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5.6A (Tc) 4V, 5V 540mOhm @ 3.4A, 5V Surface Mount 2V @ 250µA 6.1 nC @ 5 V 100 V ±10V 250 pF @ 25 V - - TO-263 (D2PAK) - 3.7W (Ta), 43W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SQA310CEJW-T1_GE3

SQA310CEJW-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)

Vishay Siliconix

2,955 -
SQA310CEJW-T1_GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® SC-70-6 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 9A (Tc) 4.5V, 10V 19mOhm @ 3A, 10V Surface Mount, Wettable Flank 2.5V @ 250µA 12 nC @ 10 V 30 V ±20V 535 pF @ 25 V AEC-Q101 - PowerPAK®SC-70W-6 Automotive 13.6W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SQJ840EP-T1_GE3

SQJ840EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8

Vishay Siliconix

2,355 -
SQJ840EP-T1_GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30A (Tc) 4.5V, 10V 9.3mOhm @ 10.3A, 10V Surface Mount 2.2V @ 250µA 38 nC @ 10 V 30 V ±20V 1900 pF @ 15 V AEC-Q101 - PowerPAK® SO-8 Automotive 46W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SIHD6N65ET4-GE3

SIHD6N65ET4-GE3

MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Vishay Siliconix

3,194 -
SIHD6N65ET4-GE3

数据表

E TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 7A (Tc) 10V 600mOhm @ 3A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 48 nC @ 10 V 650 V ±30V 820 pF @ 100 V - - TO-252AA - 78W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SIHD6N65ET5-GE3

SIHD6N65ET5-GE3

MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Vishay Siliconix

7,194 -
SIHD6N65ET5-GE3

数据表

E TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 7A (Tc) 10V 600mOhm @ 3A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 48 nC @ 10 V 650 V ±30V 820 pF @ 100 V - - TO-252AA - 78W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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