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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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SI3805DV-T1-GE3

SI3805DV-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 3.3A 6TSOP

Vishay Siliconix

9,045 -
SI3805DV-T1-GE3

数据表

LITTLE FOOT® SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.3A (Tc) 2.5V, 10V 84mOhm @ 3A, 10V Surface Mount 1.5V @ 250µA 12 nC @ 10 V 20 V ±12V 330 pF @ 10 V - Schottky Diode (Isolated) 6-TSOP - 1.1W (Ta), 1.4W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI1307DL-T1-E3

SI1307DL-T1-E3

MOSFET P-CH 12V 850MA SC70-3

Vishay Siliconix

4,655 -
SI1307DL-T1-E3

数据表

TrenchFET® SC-70, SOT-323 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 850mA (Ta) 1.8V, 4.5V 290mOhm @ 1A, 4.5V Surface Mount 450mV @ 250µA (Min) 5 nC @ 4.5 V 12 V ±8V - - - SC-70-3 - 290mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI5411EDU-T1-GE3

SI5411EDU-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 25A PPAK

Vishay Siliconix

7,224 -
SI5411EDU-T1-GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® ChipFET™ Single Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25A (Tc) 1.8V, 4.5V 8.2mOhm @ 6A, 4.5V Surface Mount 900mV @ 250µA 105 nC @ 8 V 12 V ±8V 4100 pF @ 6 V - - PowerPAK® ChipFet Single - 3.1W (Ta), 31W (Tc) -50°C ~ 150°C (TJ)
SIA444DJT-T1-GE3

SIA444DJT-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6

Vishay Siliconix

9,466 -
SIA444DJT-T1-GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® SC-70-6 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 12A (Tc) 4.5V, 10V 17mOhm @ 7.4A, 10V Surface Mount 2.2V @ 250µA 15 nC @ 10 V 30 V ±20V 560 pF @ 15 V - - PowerPAK® SC-70-6 - 3.5W (Ta), 19W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI4688DY-T1-E3

SI4688DY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO

Vishay Siliconix

4,576 -
SI4688DY-T1-E3

数据表

TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 8.9A (Ta) 4.5V, 10V 11mOhm @ 12A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 38 nC @ 10 V 30 V ±20V 1580 pF @ 15 V - - 8-SOIC - 1.4W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
SIR840DP-T1-GE3

SIR840DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8

Vishay Siliconix

2,443 -
SIR840DP-T1-GE3

数据表

- PowerPAK® SO-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) - - - Surface Mount - - 30 V - - - - PowerPAK® SO-8 - - -55°C ~ 150°C (TJ)
IRFR9110TRRPBF

IRFR9110TRRPBF

MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK

Vishay Siliconix

8,912 -
IRFR9110TRRPBF

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.1A (Tc) 10V 1.2Ohm @ 1.9A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 8.7 nC @ 10 V 100 V ±20V 200 pF @ 25 V - - DPAK - 2.5W (Ta), 25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SIHF6N40D-E3

SIHF6N40D-E3

MOSFET N-CH 400V 6A TO220

Vishay Siliconix

9,850 -
SIHF6N40D-E3

数据表

- TO-220-3 Full Pack Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 6A (Tc) 10V 1Ohm @ 3A, 10V Through Hole 5V @ 250µA 18 nC @ 10 V 400 V ±30V 311 pF @ 100 V - - TO-220 Full Pack - 30W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI1471DH-T1-GE3

SI1471DH-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6

Vishay Siliconix

9,821 -
SI1471DH-T1-GE3

数据表

TrenchFET® 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.7A (Tc) 2.5V, 10V 100mOhm @ 2A, 10V Surface Mount 1.6V @ 250µA 9.8 nC @ 4.5 V 30 V ±12V 445 pF @ 15 V - - SC-70-6 - 1.5W (Ta), 2.78W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI1473DH-T1-GE3

SI1473DH-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6

Vishay Siliconix

4,826 -
SI1473DH-T1-GE3

数据表

TrenchFET® 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.7A (Tc) 4.5V, 10V 100mOhm @ 2A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 6.2 nC @ 4.5 V 30 V ±20V 365 pF @ 15 V - - SC-70-6 - 1.5W (Ta), 2.78W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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