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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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SQR100N04-3M8R_GE3

SQR100N04-3M8R_GE3

N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

Vishay Siliconix

9,654 -
SQR100N04-3M8R_GE3

数据表

- - Tape & Reel (TR) Not For New Designs - - - - - - - - - - - - - - - - -
SIHLZ34S-GE3

SIHLZ34S-GE3

MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK

Vishay Siliconix

6,353 -
SIHLZ34S-GE3

数据表

- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30A (Tc) 4V, 5V 50mOhm @ 18A, 5V Surface Mount 2V @ 250µA 35 nC @ 5 V 60 V ±10V 1600 pF @ 25 V - - TO-263 (D2PAK) - 3.7W (Ta), 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SQD40N10-25-T4_GE3

SQD40N10-25-T4_GE3

MOSFET N-CH 100V 40A TO252AA

Vishay Siliconix

4,176 -
SQD40N10-25-T4_GE3

数据表

TrenchFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40A (Tc) 4.5V, 10V 25mOhm @ 40A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 70 nC @ 10 V 100 V ±20V 3380 pF @ 25 V AEC-Q101 - TO-252AA Automotive 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SQD50N04_4M5LT4GE3

SQD50N04_4M5LT4GE3

MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA

Vishay Siliconix

7,824 -
SQD50N04_4M5LT4GE3

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50A (Tc) 4.5V, 10V 3.5mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 130 nC @ 10 V 40 V ±20V 5860 pF @ 25 V - - TO-252AA - 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SQD50P08-28-T4_GE3

SQD50P08-28-T4_GE3

MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA

Vishay Siliconix

8,590 -
SQD50P08-28-T4_GE3

数据表

TrenchFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 48A (Tc) 10V 28mOhm @ 12.5A, 10V Surface Mount 3.5V @ 250µA 145 nC @ 10 V 80 V ±20V 6035 pF @ 25 V AEC-Q101 - TO-252AA Automotive 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SQD50P04-09L_T4GE3

SQD50P04-09L_T4GE3

MOSFET P-CH 40V 50A TO252AA

Vishay Siliconix

9,480 -
SQD50P04-09L_T4GE3

数据表

ThunderFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50A (Tc) 4.5V, 10V 9.4mOhm @ 17A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 155 nC @ 10 V 40 V ±20V 6675 pF @ 20 V - - TO-252AA - 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SQD100N04_3M6T4GE3

SQD100N04_3M6T4GE3

MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA

Vishay Siliconix

3,632 -
SQD100N04_3M6T4GE3

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100A (Tc) 10V 3.6mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 3.5V @ 250µA 105 nC @ 10 V 40 V ±20V 6700 pF @ 25 V AEC-Q101 - TO-252AA Automotive 136W (Tc) -55°C ~ 175°C
SQD50P03-07-T4_GE3

SQD50P03-07-T4_GE3

MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA

Vishay Siliconix

3,720 -
SQD50P03-07-T4_GE3

数据表

TrenchFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50A (Tc) 4.5V, 10V 7mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 146 nC @ 10 V 30 V ±20V 5490 pF @ 25 V AEC-Q101 - TO-252AA Automotive 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SQD90P04_9M4LT4GE3

SQD90P04_9M4LT4GE3

MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA

Vishay Siliconix

5,705 -
SQD90P04_9M4LT4GE3

数据表

TrenchFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 90A (Tc) 4.5V, 10V 9.4mOhm @ 17A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 155 nC @ 10 V 40 V ±20V 6675 pF @ 20 V AEC-Q101 - TO-252AA Automotive 136W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SQD25N15-52-T4_GE3

SQD25N15-52-T4_GE3

MOSFET N-CH 150V 25A TO252AA

Vishay Siliconix

7,366 -
SQD25N15-52-T4_GE3

数据表

TrenchFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25A (Tc) 10V 52mOhm @ 15A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 51 nC @ 10 V 150 V ±20V 2200 pF @ 25 V AEC-Q101 - TO-252AA Automotive 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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