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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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SI4833BDY-T1-GE3

SI4833BDY-T1-GE3

MOSFET P-CHANNEL 30V 4.6A 8SOIC

Vishay Siliconix

8,447 -
SI4833BDY-T1-GE3

数据表

LITTLE FOOT® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.6A (Tc) 4.5V, 10V 68mOhm @ 3.6A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 14 nC @ 10 V 30 V ±20V 350 pF @ 15 V - Schottky Diode (Isolated) 8-SOIC - 2.75W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRL520PBF-BE3

IRL520PBF-BE3

MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB

Vishay Siliconix

3,106 -
IRL520PBF-BE3

数据表

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 9.2A (Tc) - 270mOhm @ 5.5A, 5V Through Hole 2V @ 250µA 12 nC @ 5 V 100 V ±10V 490 pF @ 25 V - - TO-220AB - 60W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SI4684DY-T1-E3

SI4684DY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 16A 8SO

Vishay Siliconix

3,884 -
SI4684DY-T1-E3

数据表

TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 16A (Tc) 4.5V, 10V 9.4mOhm @ 16A, 10V Surface Mount 1.5V @ 250µA 45 nC @ 10 V 30 V ±12V 2080 pF @ 15 V - - 8-SOIC - 2.5W (Ta), 4.45W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI4684DY-T1-GE3

SI4684DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 16A 8SO

Vishay Siliconix

3,960 -
SI4684DY-T1-GE3

数据表

TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 16A (Tc) 4.5V, 10V 9.4mOhm @ 16A, 10V Surface Mount 1.5V @ 250µA 45 nC @ 10 V 30 V ±12V 2080 pF @ 15 V - - 8-SOIC - 2.5W (Ta), 4.45W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SUD50N025-06P-E3

SUD50N025-06P-E3

MOSFET N-CH 25V 78A TO252

Vishay Siliconix

6,843 -
SUD50N025-06P-E3

数据表

TrenchFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 78A (Tc) 4.5V, 10V 6.2mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 2.4V @ 250µA 66 nC @ 10 V 25 V ±20V 2490 pF @ 12 V - - TO-252AA - 10.7W (Ta), 65W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
SI1426DH-T1-E3

SI1426DH-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6

Vishay Siliconix

2,031 -
SI1426DH-T1-E3

数据表

TrenchFET® 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 2.8A (Ta) 4.5V, 10V 75mOhm @ 3.6A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 3 nC @ 4.5 V 30 V ±20V - - - SC-70-6 - 1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI1405DL-T1-E3

SI1405DL-T1-E3

MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6

Vishay Siliconix

6,097 -
SI1405DL-T1-E3

数据表

TrenchFET® 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Tape & Reel (TR) Obsolete P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.6A (Ta) 1.8V, 4.5V 125mOhm @ 1.8A, 4.5V Surface Mount 450mV @ 250µA (Min) 7 nC @ 4.5 V 8 V ±8V - - - SC-70-6 - 568mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI9410BDY-T1-E3

SI9410BDY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SO

Vishay Siliconix

9,228 -
SI9410BDY-T1-E3

数据表

TrenchFET® 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 6.2A (Ta) 4.5V, 10V 24mOhm @ 8.1A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 23 nC @ 10 V 30 V ±20V - - - 8-SOIC - 1.5W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
SIS430DN-T1-GE3

SIS430DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8

Vishay Siliconix

9,850 -
SIS430DN-T1-GE3

数据表

TrenchFET® PowerPAK® 1212-8 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 35A (Tc) 4.5V, 10V 5.1mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 40 nC @ 10 V 25 V ±20V 1600 pF @ 12.5 V - - PowerPAK® 1212-8 - 3.8W (Ta), 52W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
SI2371EDS-T1-BE3

SI2371EDS-T1-BE3

P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

Vishay Siliconix

3,000 -
SI2371EDS-T1-BE3

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.7A (Ta), 4.8A (Tc) 2.5V, 10V 45mOhm @ 3.7A, 10V Surface Mount 1.5V @ 250µA 35 nC @ 10 V 30 V ±12V - - - SOT-23-3 (TO-236) - 1W (Ta), 1.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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