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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
2SK2111-D-T1-AZ

2SK2111-D-T1-AZ

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Renesas Electronics Corporation

5,000 -
2SK2111-D-T1-AZ

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK2111-T1-AY

2SK2111-T1-AY

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Renesas Electronics Corporation

2,500 -
2SK2111-T1-AY

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
NP90N06VDK-E1-AY

NP90N06VDK-E1-AY

POWER TRANSISTOR N-CH AUTO POWER

Renesas Electronics Corporation

4,920 -
NP90N06VDK-E1-AY

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 90A (Tc) 4.5V, 10V 5.3mOhm @ 45A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 95 nC @ 10 V 60 V ±20V 6000 pF @ 25 V AEC-Q101 - TO-252 (MP-3ZP) Automotive 1.2W (Ta), 147W (Tc) 175°C
3SK222-T2-A

3SK222-T2-A

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

195,000 -
3SK222-T2-A

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
NP90N06VLK-E1-AY

NP90N06VLK-E1-AY

ABU / MOSFET

Renesas Electronics Corporation

608 -
NP90N06VLK-E1-AY

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 90A (Tc) 4.5V, 10V 5.3mOhm @ 45A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 95 nC @ 10 V 60 V ±20V 6000 pF @ 25 V - - TO-252 (MP-3ZP) - 1.2W (Ta), 147W (Tc) 175°C
RJK0855DPB-00#J5

RJK0855DPB-00#J5

MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK

Renesas Electronics Corporation

4,791 -
RJK0855DPB-00#J5

数据表

- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30A (Ta) 10V 11mOhm @ 15A, 10V Surface Mount - 35 nC @ 10 V 80 V ±20V 2550 pF @ 10 V - - LFPAK - 60W (Tc) 150°C (TJ)
RJK03B9DNS-00#J5

RJK03B9DNS-00#J5

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

175,000 -
RJK03B9DNS-00#J5

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
RJK0368DPA-00#J0

RJK0368DPA-00#J0

MOSFET N-CH 30V 20A 8WPAK

Renesas Electronics Corporation

61,026 -
RJK0368DPA-00#J0

数据表

- 8-PowerWDFN Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20A (Ta) - 14.3mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 2.5V @ 1mA 6.2 nC @ 4.5 V 30 V - 730 pF @ 10 V - - 8-WPAK - 25W (Tc) 150°C (TJ)
UPA2593T1H-T1-AT

UPA2593T1H-T1-AT

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

19,183 -
UPA2593T1H-T1-AT

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
RJK0368DPA-WS#J0

RJK0368DPA-WS#J0

POWER TRANSISTOR, MOSFET

Renesas Electronics Corporation

2,085 -
RJK0368DPA-WS#J0

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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