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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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2SJ356(0)-T1-AZ

2SJ356(0)-T1-AZ

P-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

840,000 -
2SJ356(0)-T1-AZ

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
RJK03J5DPA-00#J5A

RJK03J5DPA-00#J5A

N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET

Renesas Electronics Corporation

264,000 -
RJK03J5DPA-00#J5A

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK2111-T2-AZ

2SK2111-T2-AZ

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Renesas Electronics Corporation

96,000 -
2SK2111-T2-AZ

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
UPA2591T1H-T1-AT

UPA2591T1H-T1-AT

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

93,000 -
UPA2591T1H-T1-AT

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK680A-T2-AZ

2SK680A-T2-AZ

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Renesas Electronics Corporation

26,350 -
2SK680A-T2-AZ

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK2111-T1-AZ

2SK2111-T1-AZ

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Renesas Electronics Corporation

20,932 -
2SK2111-T1-AZ

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK2111(0)-T1-AZ

2SK2111(0)-T1-AZ

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Renesas Electronics Corporation

20,000 -
2SK2111(0)-T1-AZ

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
RJK1052DPB-00#J5

RJK1052DPB-00#J5

MOSFET N-CH 100V 20A LFPAK

Renesas Electronics Corporation

6,572 -
RJK1052DPB-00#J5

数据表

- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 20A (Ta) 4.5V, 10V 20mOhm @ 10A, 10V Surface Mount - 29 nC @ 4.5 V 100 V ±20V 4160 pF @ 10 V - - LFPAK - 55W (Tc) 150°C (TJ)
UPA2592T1H-T1-AT

UPA2592T1H-T1-AT

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

12,000 -
UPA2592T1H-T1-AT

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
RJK03M7DPA-00#J5A

RJK03M7DPA-00#J5A

MOSFET N-CH 30V 30A 8WPAK

Renesas Electronics Corporation

9,000 -
RJK03M7DPA-00#J5A

数据表

- 8-WFDFN Exposed Pad Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30A (Ta) - 9.6mOhm @ 15A, 10V Surface Mount - 6.6 nC @ 4.5 V 30 V - 1120 pF @ 10 V - - 8-WPAK - 25W (Tc) 150°C (TJ)
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