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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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NP50P06SDG-E1-AY

NP50P06SDG-E1-AY

MOSFET P-CH 60V 50A TO-252

Renesas Electronics Corporation

17,586 -
NP50P06SDG-E1-AY

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50A (Tc) - 16.5mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 100 nC @ 10 V 60 V - 5000 pF @ 10 V - - TO-252 (MP-3ZK) - 1.2W (Ta), 84W (Tc) 175°C (TJ)
NP50P03YDG-E1-AY

NP50P03YDG-E1-AY

MOSFET P-CH 30V 50A 8HSON

Renesas Electronics Corporation

4,970 -
NP50P03YDG-E1-AY

数据表

- 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50A (Tc) 5V, 10V 8.4mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 96 nC @ 10 V 30 V ±20V 3500 pF @ 25 V - - 8-HSON - 1W (Ta), 102W (Tc) 175°C (TJ)
NP50P04SDG-E1-AY

NP50P04SDG-E1-AY

MOSFET P-CH 40V 50A TO252

Renesas Electronics Corporation

8,718 -
NP50P04SDG-E1-AY

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 50A (Tc) 4.5V, 10V 9.6mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 100 nC @ 10 V 40 V ±20V 5000 pF @ 10 V - - TO-252 (MP-3ZK) - 1.2W (Ta), 84W (Tc) 175°C (TJ)
2SJ557(0)T1B-AT

2SJ557(0)T1B-AT

SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET

Renesas Electronics Corporation

3,000 -
2SJ557(0)T1B-AT

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
UPA2450CTL(1)-E1-A

UPA2450CTL(1)-E1-A

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Renesas Electronics Corporation

318,000 -
UPA2450CTL(1)-E1-A

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
N0600N-S17-AY

N0600N-S17-AY

MOSFET N-CH 60V 30A TO220

Renesas Electronics Corporation

22,000 -
N0600N-S17-AY

数据表

- TO-220-3 Isolated Tab Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 30A (Ta) - 36mOhm @ 15A, 4.5V Through Hole - 29.8 nC @ 10 V 60 V - 1380 pF @ 10 V - - TO-220 - 2W (Ta), 20W (Tc) 150°C (TJ)
2SK1274-T-AZ

2SK1274-T-AZ

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Renesas Electronics Corporation

7,086 -
2SK1274-T-AZ

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
NP75P03YDG-E1-AY

NP75P03YDG-E1-AY

MOSFET P-CH 30V 75A 8HSON

Renesas Electronics Corporation

3,701 -
NP75P03YDG-E1-AY

数据表

- 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 5V, 10V 6.2mOhm @ 37.5A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 141 nC @ 10 V 30 V ±20V 4800 pF @ 25 V - - 8-HSON - 1W (Ta), 138W (Tc) 175°C (TJ)
RJK1053DPB-00#J5

RJK1053DPB-00#J5

MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK

Renesas Electronics Corporation

2,500 -
RJK1053DPB-00#J5

数据表

- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 25A (Ta) 4.5V, 10V 13mOhm @ 12.5A, 10V Surface Mount - 43 nC @ 4.5 V 100 V ±20V 6160 pF @ 10 V - - LFPAK - 65W (Tc) 150°C (TJ)
2SK1274-AZ

2SK1274-AZ

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

3,710 -
2SK1274-AZ

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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