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    场效应晶体管（FETs）、MOSFETs

    制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)（最大值） 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗（最大值） 工作温度

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    2SJ199-T2-AZ

    2SJ199-T2-AZ

    P-CHANNEL POWER MOSFET

    Renesas Electronics Corporation

    		 5,412 -
    询价单
    		2SJ199-T2-AZ

    数据表

         		- TO-243AA Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1A (Ta) 4V, 10V 2Ohm @ 500mA, 10V Surface Mount 3V @ 1mA - 100 V ±20V 220 pF @ 10 V - - SC-62 - 2W (Ta) 150°C
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