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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
RQJ0603LGDQAWS#H6

RQJ0603LGDQAWS#H6

P CH MOS FET POWER SWITCHING

Renesas Electronics Corporation

2,940 -
RQJ0603LGDQAWS#H6

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK1591(0)-T1B-A

2SK1591(0)-T1B-A

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Renesas Electronics Corporation

271,583 -
2SK1591(0)-T1B-A

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
RJK03D0DNS-00#J5

RJK03D0DNS-00#J5

POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

55,000 -
RJK03D0DNS-00#J5

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
2SK2570ZL-TL-E

2SK2570ZL-TL-E

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

54,000 -
2SK2570ZL-TL-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
UPA2737GR-E1-AX

UPA2737GR-E1-AX

MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP

Renesas Electronics Corporation

7,500 -
UPA2737GR-E1-AX

数据表

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 11A (Ta) 4.5V, 10V 13mOhm @ 11A, 10V Surface Mount - 45 nC @ 10 V 30 V ±20V 1750 pF @ 10 V - - 8-SOP - 2.5W (Ta) 150°C
N0412N-S19-AY

N0412N-S19-AY

MOSFET N-CH 40V 100A TO220

Renesas Electronics Corporation

2,833 -
N0412N-S19-AY

数据表

- TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100A (Ta) 10V 3.7mOhm @ 50A, 10V Through Hole - 100 nC @ 10 V 40 V ±20V 5550 pF @ 25 V - - TO-220 - 1.5W (Ta), 119W (Tc) 150°C (TJ)
2SK1591-T2B-A

2SK1591-T2B-A

SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Renesas Electronics Corporation

1,755 -
2SK1591-T2B-A

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
NP15P04SLG-E1-AY

NP15P04SLG-E1-AY

MOSFET P-CH 40V 15A TO252

Renesas Electronics Corporation

12,470 -
NP15P04SLG-E1-AY

数据表

- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 15A (Ta) 4.5V, 10V 40mOhm @ 7.5A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 23 nC @ 10 V 40 V ±20V 1100 pF @ 10 V - - TO-252 (MP-3ZK) - 1.2W (Ta), 30W (Tc) 175°C (TJ)
RJK0354DSP-00#J0

RJK0354DSP-00#J0

MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP

Renesas Electronics Corporation

3,853 -
RJK0354DSP-00#J0

数据表

- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 16A (Ta) 4.5V, 10V 7mOhm @ 8A, 10V Surface Mount - 12 nC @ 4.5 V 30 V ±20V 1740 pF @ 10 V - - 8-SOP - 2W (Ta) 150°C (TJ)
HS54095-01-E

HS54095-01-E

N-CHANNEL POWER MOSFET

Renesas Electronics Corporation

5,500 -
HS54095-01-E

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
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