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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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PSMN011-30YL,115

PSMN011-30YL,115

MOSFET N-CH 30V 51A LFPAK56

NXP USA Inc.

5,869 -
PSMN011-30YL,115

数据表

TrenchMOS™ SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 51A (Tj) 4.5V, 10V 10.7mOhm @ 15A, 10V Surface Mount 2.15V @ 1mA 14.8 nC @ 10 V 30 V ±20V 726 pF @ 15 V - - LFPAK56, Power-SO8 - 49W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
PSMN5R9-30YL,115

PSMN5R9-30YL,115

MOSFET N-CH 30V 78A LFPAK56

NXP USA Inc.

4,563 -
PSMN5R9-30YL,115

数据表

TrenchMOS™ SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 78A (Tc) 4.5V, 10V 6.1mOhm @ 20A, 10V Surface Mount 2.15V @ 1mA 21.3 nC @ 10 V 30 V ±20V 1226 pF @ 15 V - - LFPAK56, Power-SO8 - 63W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
PSMN8R0-30YL,115

PSMN8R0-30YL,115

MOSFET N-CH 30V 62A LFPAK56

NXP USA Inc.

3,208 -
PSMN8R0-30YL,115

数据表

TrenchMOS™ SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 62A (Tc) 4.5V, 10V 8.3mOhm @ 15A, 10V Surface Mount 2.15V @ 1mA 18.3 nC @ 10 V 30 V ±20V 1005 pF @ 15 V - - LFPAK56, Power-SO8 - 56W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
PMV16UN,215

PMV16UN,215

MOSFET N-CH 20V 5.8A TO236AB

NXP USA Inc.

6,134 -
PMV16UN,215

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5.8A (Ta) 1.8V, 4.5V 18mOhm @ 5.8A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 11 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 670 pF @ 10 V - - SOT-23 (TO-236AB) - 510mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
PMV20XN,215

PMV20XN,215

MOSFET N-CH 30V 4.8A TO236AB

NXP USA Inc.

3,614 -
PMV20XN,215

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.8A (Ta) 2.5V, 4.5V 25mOhm @ 4.8A, 4.5V Surface Mount 1.5V @ 250µA 10 nC @ 4.5 V 30 V ±12V 585 pF @ 15 V - - SOT-23 (TO-236AB) - 510mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
PMV22EN,215

PMV22EN,215

MOSFET N-CH 30V 5.2A TO236AB

NXP USA Inc.

5,670 -
PMV22EN,215

数据表

- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5.2A (Ta) 4.5V, 10V 22mOhm @ 5.2A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 13 nC @ 10 V 30 V ±20V 480 pF @ 15 V - - SOT-23 (TO-236AB) - 510mW (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
PSMN8R0-30YLC,115

PSMN8R0-30YLC,115

MOSFET N-CH 30V 54A LFPAK56

NXP USA Inc.

6,742 -
PSMN8R0-30YLC,115

数据表

- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 54A (Tc) 4.5V, 10V 7.9mOhm @ 15A, 10V Surface Mount 1.95V @ 1mA 15 nC @ 10 V 30 V ±20V 848 pF @ 15 V - - LFPAK56, Power-SO8 - 42W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
PSMN9R0-25YLC,115

PSMN9R0-25YLC,115

MOSFET N-CH 25V 46A LFPAK56

NXP USA Inc.

5,073 -
PSMN9R0-25YLC,115

数据表

- SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 46A (Tc) 4.5V, 10V 9.1mOhm @ 15A, 10V Surface Mount 1.95V @ 1mA 12 nC @ 10 V 25 V ±20V 694 pF @ 12 V - - LFPAK56, Power-SO8 - 34W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
PMN25UN,115

PMN25UN,115

MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP

NXP USA Inc.

9,835 -
PMN25UN,115

数据表

- SC-74, SOT-457 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 6A (Ta) 1.8V, 4.5V 27mOhm @ 6A, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 10 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 470 pF @ 10 V - - SC-74 - 530mW (Ta), 6.25W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PMR290UNE,115

PMR290UNE,115

MOSFET N-CH 20V 700MA SC75

NXP USA Inc.

5,337 -
PMR290UNE,115

数据表

- SC-75, SOT-416 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 700mA (Ta) 1.8V, 4.5V 380mOhm @ 500mA, 4.5V Surface Mount 950mV @ 250µA 0.68 nC @ 4.5 V 20 V ±8V 83 pF @ 10 V - - SC-75 - 250mW (Ta), 770mW (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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