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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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BUK7226-75A/C1,118

BUK7226-75A/C1,118

MOSFET N-CH 75V 45A DPAK

NXP USA Inc.

8,758 -
BUK7226-75A/C1,118

数据表

TrenchMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 45A (Tc) 10V 26mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 4V @ 1mA 48 nC @ 10 V 75 V ±20V 2385 pF @ 25 V - - DPAK - 158W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK7510-55AL,127

BUK7510-55AL,127

MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

NXP USA Inc.

8,307 -
BUK7510-55AL,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 10V 10mOhm @ 25A, 10V Through Hole 4V @ 1mA 124 nC @ 10 V 55 V ±20V 6280 pF @ 25 V - - TO-220AB - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK9213-30A,118

BUK9213-30A,118

MOSFET N-CH 30V 55A DPAK

NXP USA Inc.

2,621 -
BUK9213-30A,118

数据表

TrenchMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 55A (Tc) 4.5V, 10V 11mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 2V @ 1mA 37 nC @ 5 V 30 V ±15V 2852 pF @ 25 V - - DPAK - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
PHP165NQ08T,127

PHP165NQ08T,127

MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB

NXP USA Inc.

8,094 -
PHP165NQ08T,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 10V 5mOhm @ 25A, 10V Through Hole 4V @ 1mA 165 nC @ 10 V 75 V ±20V 8250 pF @ 25 V - - TO-220AB - 250W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PSMN050-80PS,127

PSMN050-80PS,127

MOSFET N-CH 80V 22A TO220AB

NXP USA Inc.

3,789 -
PSMN050-80PS,127

数据表

- TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 22A (Tc) 10V 51mOhm @ 10A, 10V Through Hole 4V @ 1mA 11 nC @ 10 V 80 V ±20V 633 pF @ 12 V - - TO-220AB - 56W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
PH9030AL,115

PH9030AL,115

MOSFET N-CH 30V 61A LFPAK56

NXP USA Inc.

3,424 -
PH9030AL,115

数据表

TrenchMOS™ SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 61A (Tc) - 8mOhm @ 15A, 10V Surface Mount 2.15V @ 1mA 17.8 nC @ 10 V 30 V - 1006 pF @ 12 V - - LFPAK56, Power-SO8 - - -
PHD18NQ10T,118

PHD18NQ10T,118

MOSFET N-CH 100V 18A DPAK

NXP USA Inc.

4,521 -
PHD18NQ10T,118

数据表

TrenchMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 18A (Tc) 10V 90mOhm @ 9A, 10V Surface Mount 4V @ 1mA 21 nC @ 10 V 100 V ±20V 633 pF @ 25 V - - DPAK - 79W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
PHP45NQ10TA,127

PHP45NQ10TA,127

MOSFET N-CH 100V 47A TO220AB

NXP USA Inc.

7,607 -
PHP45NQ10TA,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 47A (Tc) - 25mOhm @ 25A, 10V Through Hole 4V @ 1mA 61 nC @ 10 V 100 V - 2600 pF @ 25 V - - TO-220AB - - -
BUK9240-100A/C1,11

BUK9240-100A/C1,11

MOSFET N-CH 100V 33A DPAK

NXP USA Inc.

7,543 -
BUK9240-100A/C1,11

数据表

TrenchMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 33A (Tc) 4.5V, 10V 38.6mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 2V @ 1mA - 100 V ±10V 3072 pF @ 25 V - - DPAK - 114W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK9237-55A/C1,118

BUK9237-55A/C1,118

MOSFET N-CH 55V 32A DPAK

NXP USA Inc.

8,296 -
BUK9237-55A/C1,118

数据表

TrenchMOS™ TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Tape & Reel (TR) Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 32A (Tc) 4.5V, 10V 33mOhm @ 15A, 10V Surface Mount 2V @ 1mA 17.6 nC @ 5 V 55 V ±15V 1236 pF @ 25 V - - DPAK - 77W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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