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场效应晶体管（FETs）、MOSFETs
| 图片 | 厂商料号 | 库存情况 | 价格 | 数量 | 数据表 | 系列 | 封装/外壳 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压（最大导通电阻，最小导通电阻） | 导通电阻 (Rds On)（最大值）@ Id, Vgs | 安装类型 | 栅极阈值电压 (Vgs(th)）（最大值）@ Id | 栅极电荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 漏极到源极电压 (Vdss) | 栅极电压 (Vgs)（最大值） | 输入电容 (Ciss)（最大值）@ Vds | 认证 | FET 特性 | 供应商设备封装 | 等级 | 功耗（最大值） | 工作温度 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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PMV50XP215P-CHANNEL MOSFET NXP USA Inc. |
4,287 | - |
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数据表 |
- | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bulk | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 3.6A (Ta) | 1.5V, 4.5V | 60mOhm @ 3.6A, 4.5V | Surface Mount | 900mV @ 250µA | 12 nC @ 4.5 V | 20 V | ±12V | 744 pF @ 20 V | - | - | TO-236AB | - | 490mW (Ta), 4.63W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
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BSS84AKW-B115MOSFET P-CH NXP USA Inc. |
9,798 | - |
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数据表 |
- | SC-70, SOT-323 | Bulk | Active | P-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 150mA (Ta) | 5V, 10V | 7.5Ohm @ 100mA, 10V | Surface Mount | 2.1V @ 250µA | 0.35 nC @ 5 V | 50 V | ±20V | 36 pF @ 25 V | AEC-Q101 | - | SC-70 | Automotive | 260mW (Ta), 830mW (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
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PMZB600UNE315SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET NXP USA Inc. |
6,968 | - |
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数据表 |
- | SC-101, SOT-883 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 600mA (Ta) | 1.2V, 4.5V | 620mOhm @ 600mA, 4.5V | Surface Mount | 950mV @ 250µA | 0.7 nC @ 4.5 V | 20 V | ±8V | 21.3 pF @ 10 V | - | - | DFN1006B-3 | - | 360mW (Ta), 2.7W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
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PMZB200UNE315SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET NXP USA Inc. |
4,063 | - |
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数据表 |
- | SC-101, SOT-883 | Bulk | Active | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1.4A (Ta) | 1.5V, 4.5V | 250mOhm @ 1.4A, 4.5V | Surface Mount | 950mV @ 250µA | 2.7 nC @ 4.5 V | 30 V | ±8V | 89 pF @ 15 V | - | - | DFN1006B-3 | - | 350mW (Ta), 6.25W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
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PMF280UN,115MOSFET N-CH 20V 1.02A SOT323-3 NXP USA Inc. |
7,863 | - |
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数据表 |
TrenchMOS™ | SC-70, SOT-323 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 1.02A (Tc) | 1.8V, 4.5V | 340mOhm @ 200mA, 4.5V | Surface Mount | 1V @ 250µA | 0.89 nC @ 4.5 V | 20 V | ±8V | 45 pF @ 20 V | - | - | SC-70 | - | 560mW (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
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PSMN014-60LS,115MOSFET N-CH 60V 40A 8DFN NXP USA Inc. |
9,960 | - |
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数据表 |
- | 8-VDFN Exposed Pad | Tape & Reel (TR) | Obsolete | N-Channel | MOSFET (Metal Oxide) | 40A (Tc) | 10V | 14mOhm @ 10A, 10V | Surface Mount | 4V @ 1mA | 19.6 nC @ 10 V | 60 V | ±20V | 1264 pF @ 30 V | - | - | 8-DFN3333 (3.3x3.3) | - | 65W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
