富聪科技订单满¥1000免运费
关注我们:

场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

全部重置
全部应用
结果
图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
PMF400UN,115

PMF400UN,115

MOSFET N-CH 30V 830MA SOT323-3

NXP USA Inc.

6,710 -
PMF400UN,115

数据表

TrenchMOS™ SC-70, SOT-323 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 830mA (Ta) 1.8V, 4.5V 480mOhm @ 200mA, 4.5V Surface Mount 1V @ 250µA 0.89 nC @ 4.5 V 30 V ±8V 43 pF @ 25 V - - SC-70 - 560mW (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PMF250XN,115

PMF250XN,115

MOSFET N-CH 30V 900MA SOT323-3

NXP USA Inc.

2,027 -
PMF250XN,115

数据表

- SC-70, SOT-323 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 900mA (Ta) 2.5V, 4.5V 300mOhm @ 900mA, 4.5V Surface Mount 1.5V @ 250µA 1.1 nC @ 4.5 V 30 V ±12V 50 pF @ 15 V - - SC-70 - 275mW (Ta), 1.065W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PHT11N06LT,135

PHT11N06LT,135

MOSFET N-CH 55V 4.9A SOT223

NXP USA Inc.

9,221 -
PHT11N06LT,135

数据表

TrenchMOS™ TO-261-4, TO-261AA Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.9A (Ta) 5V 40mOhm @ 5A, 5V Surface Mount 2V @ 1mA 17 nC @ 5 V 55 V ±13V 1400 pF @ 25 V - - SC-73 - 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PSMN035-100LS,115

PSMN035-100LS,115

MOSFET N-CH 100V 27A 8DFN

NXP USA Inc.

3,250 -
PSMN035-100LS,115

数据表

- 8-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 27A (Tc) 10V 32mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 4V @ 1mA 23 nC @ 10 V 100 V ±20V 1350 pF @ 50 V - - 8-DFN3333 (3.3x3.3) - 65W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PSMN3R5-30LL,115

PSMN3R5-30LL,115

MOSFET N-CH 30V 40A 8DFN

NXP USA Inc.

2,131 -
PSMN3R5-30LL,115

数据表

- 8-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40A (Tc) 4.5V, 10V 3.6mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 2.15V @ 1mA 37 nC @ 10 V 30 V ±20V 2061 pF @ 15 V - - 8-DFN3333 (3.3x3.3) - 71W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PSMN3R8-30LL,115

PSMN3R8-30LL,115

MOSFET N-CH 30V 40A 8DFN

NXP USA Inc.

6,906 -
PSMN3R8-30LL,115

数据表

- 8-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40A (Tc) 10V 3.7mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 2.15V @ 1mA 38 nC @ 10 V 30 V ±20V 2085 pF @ 15 V - - 8-DFN3333 (3.3x3.3) - 69W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PSMN7R0-40LS,115

PSMN7R0-40LS,115

MOSFET N-CH 40V 40A 8DFN

NXP USA Inc.

2,139 -
PSMN7R0-40LS,115

数据表

- 8-VDFN Exposed Pad Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40A (Tc) 10V 7mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 4V @ 1mA 21.4 nC @ 10 V 40 V ±20V 1286 pF @ 12 V - - 8-DFN3333 (3.3x3.3) - 65W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PMN70XPEA115

PMN70XPEA115

MOSFET P-CH 20V 3.2A

NXP USA Inc.

8,902 -
PMN70XPEA115

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
NX3008PBKMB,315

NX3008PBKMB,315

MOSFET P-CH 30V 300MA DFN1006B-3

NXP USA Inc.

5,803 -
NX3008PBKMB,315

数据表

TrenchMOS™ SC-101, SOT-883 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 300mA (Ta) - 4.1Ohm @ 200mA, 4.5V Surface Mount 1.1V @ 250µA 0.72 nC @ 4.5 V 30 V ±8V 46 pF @ 15 V - - DFN1006B-3 - 360mW (Ta), 2.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
NX3008NBKMB315

NX3008NBKMB315

NOW NEXPERIA NX3008NBKMB SMALL S

NXP USA Inc.

4,035 -
NX3008NBKMB315

数据表

- SC-101, SOT-883 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 530mA (Ta) 1.8V, 4.5V 1.4Ohm @ 350mA, 4.5V Surface Mount 1.1V @ 250µA 0.68 nC @ 4.5 V 30 V ±8V 50 pF @ 15 V - - DFN1006B-3 - 360mW (Ta), 2.7W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
共 616 条记录«上一页1234...62下一页»
富聪科技

搜索

富聪科技

产品

富聪科技

电话

富聪科技

用户