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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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PHB119NQ06T,118

PHB119NQ06T,118

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

NXP USA Inc.

3,382 -
PHB119NQ06T,118

数据表

TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 10V 7.1mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 4V @ 1mA 53 nC @ 10 V 55 V ±20V 2820 pF @ 25 V - - D2PAK - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
PHB23NQ10LT,118

PHB23NQ10LT,118

MOSFET N-CH 100V 23A D2PAK

NXP USA Inc.

3,342 -
PHB23NQ10LT,118

数据表

TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 23A (Tc) 5V, 10V 72mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 2V @ 1mA 49 nC @ 10 V 100 V ±15V 1704 pF @ 25 V - - D2PAK - 98W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK95180-100A,127

BUK95180-100A,127

MOSFET N-CH 100V 11A TO220AB

NXP USA Inc.

9,363 -
BUK95180-100A,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 11A (Tc) 4.5V, 10V 173mOhm @ 5A, 10V Through Hole 2V @ 1mA - 100 V ±15V 619 pF @ 25 V - - TO-220AB - 54W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK9511-55A,127

BUK9511-55A,127

MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

NXP USA Inc.

1,000 -
BUK9511-55A,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Ta) - 10mOhm @ 25A, 10V Through Hole 2V @ 1mA - 55 V ±10V 4230 pF @ 25 V AEC-Q101 - TO-220AB Automotive 166W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK754R0-40C,127

BUK754R0-40C,127

MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB

NXP USA Inc.

989 -
BUK754R0-40C,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100A (Ta) - 4mOhm @ 25A, 10V Through Hole 4V @ 1mA 97 nC @ 10 V 40 V ±20V 5708 pF @ 25 V AEC-Q101 - TO-220AB Automotive 203W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK9516-75B,127

BUK9516-75B,127

MOSFET N-CH 75V 67A TO220AB

NXP USA Inc.

3,551 -
BUK9516-75B,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 67A (Tc) 4.5V, 10V 14mOhm @ 25A, 10V Through Hole 2V @ 1mA 35 nC @ 5 V 75 V ±15V 4034 pF @ 25 V - - TO-220AB - 157W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK7611-55B,118

BUK7611-55B,118

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

NXP USA Inc.

720 -
BUK7611-55B,118

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
PSMN8R5-100ESQ

PSMN8R5-100ESQ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

NXP USA Inc.

676 -
PSMN8R5-100ESQ

数据表

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100A (Tj) 10V 8.5mOhm @ 25A, 10V Through Hole 4V @ 1mA 111 nC @ 10 V 100 V ±20V 5512 pF @ 50 V - - I2PAK - 263W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
PHP18NQ11T,127

PHP18NQ11T,127

MOSFET N-CH 110V 18A TO220AB

NXP USA Inc.

663 -
PHP18NQ11T,127

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
BUK653R4-40C,127

BUK653R4-40C,127

MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB

NXP USA Inc.

4,593 -
BUK653R4-40C,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100A (Tc) 4.5V, 10V 3.6mOhm @ 25A, 10V Through Hole 2.8V @ 1mA 125 nC @ 10 V 40 V ±16V 8020 pF @ 25 V - - TO-220AB - 204W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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