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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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PHP30NQ15T,127

PHP30NQ15T,127

MOSFET N-CH 150V 29A TO220AB

NXP USA Inc.

3,482 -
PHP30NQ15T,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 29A (Tc) 10V 63mOhm @ 15A, 10V Through Hole 4V @ 1mA 55 nC @ 10 V 150 V ±20V 2390 pF @ 25 V - - TO-220AB - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK7660-100A,118

BUK7660-100A,118

NEXPERIA BUK7660 - N-CHANNEL TRE

NXP Semiconductors

4,800 -
BUK7660-100A,118

数据表

TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 26A (Tc) 10V 60mOhm @ 15A, 10V Surface Mount 4V @ 1mA - 100 V ±20V 1377 pF @ 25 V AEC-Q101 - D2PAK Automotive 106W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
PHP27NQ11T,127

PHP27NQ11T,127

NEXPERIA PHP27NQ11T - 27.6A, 110

NXP Semiconductors

4,511 -
PHP27NQ11T,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 27.6A (Tc) 10V 50mOhm @ 14A, 10V Through Hole 4V @ 1mA 30 nC @ 10 V 110 V ±20V 1240 pF @ 25 V - - TO-220AB - 107W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK7620-100A,118

BUK7620-100A,118

NEXPERIA BUK7620 - TRANSISTOR >3

NXP Semiconductors

3,180 -
BUK7620-100A,118

数据表

TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 63A (Tc) 10V 20mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 4V @ 1mA - 100 V ±20V 4373 pF @ 25 V AEC-Q101 - D2PAK Automotive 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK7628-100A,118

BUK7628-100A,118

MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK

NXP USA Inc.

5,440 -
BUK7628-100A,118

数据表

TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 47A (Tc) 10V 28mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 4V @ 1mA - 100 V ±20V 3100 pF @ 25 V AEC-Q101 - D2PAK Automotive 166W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
PHP29N08T,127

PHP29N08T,127

NEXPERIA PHP29N08T - 27A, 75V, 0

NXP Semiconductors

24,178 -
PHP29N08T,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 27A (Tc) 11V 50mOhm @ 14A, 11V Through Hole 5V @ 2mA 19 nC @ 10 V 75 V ±30V 810 pF @ 25 V - - TO-220AB - 88W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK7618-55/C,118

BUK7618-55/C,118

N-CHANNEL TRENCHMOS LOGIC LEVEL

NXP USA Inc.

2,000 -
BUK7618-55/C,118

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
PH1955L,115

PH1955L,115

MOSFET N-CH 55V 40A LFPAK56

NXP USA Inc.

9,368 -
PH1955L,115

数据表

TrenchMOS™ SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 40A (Tc) 4.5V, 10V 17.3mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 2V @ 1mA 18 nC @ 5 V 55 V ±15V 1992 pF @ 25 V - - LFPAK56, Power-SO8 - 75W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
PHB38N02LT,118

PHB38N02LT,118

MOSFET N-CH 20V 44.7A D2PAK

NXP USA Inc.

2,572 -
PHB38N02LT,118

数据表

TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 44.7A (Tc) 2.5V, 5V 16mOhm @ 25A, 5V Surface Mount 1.5V @ 250µA 15.1 nC @ 5 V 20 V 12V 800 pF @ 20 V - - D2PAK - 57.6W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK7631-100E,118

BUK7631-100E,118

MOSFET N-CH 100V 34A D2PAK

NXP USA Inc.

1,286 -
BUK7631-100E,118

数据表

TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 34A (Tc) 10V 31mOhm @ 10A, 10V Surface Mount 4V @ 1mA 29.4 nC @ 10 V 100 V ±20V 1738 pF @ 25 V AEC-Q101 - D2PAK Automotive 96W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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