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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
PBHV8115TLH215

PBHV8115TLH215

NEXPERIA PBHV8115X - SMALL SIGNA

NXP Semiconductors

4,000 -
PBHV8115TLH215

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
PMXB65ENEZ

PMXB65ENEZ

NEXPERIA PMXB65EN - SMALL SIGNAL

NXP Semiconductors

710,000 -
PMXB65ENEZ

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
PMPB23XNEZ

PMPB23XNEZ

PMPB23XNE - 20 V, SINGLE N-CHANN

NXP Semiconductors

3,600 -
PMPB23XNEZ

数据表

- 6-UDFN Exposed Pad Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 7A (Ta) 1.8V, 4.5V 22mOhm @ 7A, 4.5V Surface Mount 900mV @ 250µA 17 nC @ 4.5 V 20 V ±12V 1136 pF @ 10 V - - DFN2020MD-6 - 1.7W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
PMK50XP,518

PMK50XP,518

NEXPERIA PMK50XP - 7.9A, 20V, 0.

NXP Semiconductors

47,920 -
PMK50XP,518

数据表

TrenchMOS™ 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 7.9A (Tc) 4.5V 50mOhm @ 2.8A, 4.5V Surface Mount 950mV @ 250µA 10 nC @ 4.5 V 20 V ±12V 1020 pF @ 20 V - - 8-SO - 5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PSMN020-30MLCX

PSMN020-30MLCX

TRANSISTOR >30MHZ

NXP USA Inc.

6,000 -
PSMN020-30MLCX

数据表

- SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 31.8A (Tc) 4.5V, 10V 18.1mOhm @ 5A, 10V Surface Mount 1.95V @ 1mA 9.5 nC @ 10 V 30 V ±20V 430 pF @ 15 V - - LFPAK33 - 33W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
PMPB95ENEA/FX

PMPB95ENEA/FX

NEXPERIA PMPB95ENEA - 80 V, SING

NXP Semiconductors

5,115 -
PMPB95ENEA/FX

数据表

- 6-UDFN Exposed Pad Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.1A (Ta) 4.5V, 10V 105mOhm @ 2.8A, 10V Surface Mount 2.7V @ 250µA 14.9 nC @ 10 V 80 V ±20V 504 pF @ 40 V AEC-Q101 - DFN2020MD-6 Automotive 1.6W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
PMCM6501UNE023

PMCM6501UNE023

NEXPERIA PMCM6501UNE - 20V, N-CH

NXP Semiconductors

85,500 -
PMCM6501UNE023

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
PMN28UN,135

PMN28UN,135

MOSFET N-CH 12V 5.7A 6TSOP

NXP USA Inc.

16,992 -
PMN28UN,135

数据表

TrenchMOS™ SC-74, SOT-457 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5.7A (Tc) 1.8V, 4.5V 34mOhm @ 2A, 4.5V Surface Mount 700mV @ 1mA (Typ) 10.1 nC @ 4.5 V 12 V ±8V 740 pF @ 10 V - - 6-TSOP - 1.75W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PMCM6501VPEZ

PMCM6501VPEZ

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

NXP Semiconductors

6,826,065 -
PMCM6501VPEZ

数据表

- 6-XFBGA, WLCSP Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 6.2A (Ta) 1.8V, 4.5V 25mOhm @ 3A, 4.5V Surface Mount 900mV @ 250µA 29.4 nC @ 4.5 V 12 V ±8V 1400 pF @ 6 V - - 6-WLCSP (1.48x0.98) - 556mW (Ta), 12.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PMCM6501VNEZ

PMCM6501VNEZ

PMCM6501VNE - 12V, N-CHANNEL TRE

NXP USA Inc.

2,009,850 -
PMCM6501VNEZ

数据表

- 6-XFBGA, WLCSP Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 7.3A (Ta) 1.5V, 4.5V 18mOhm @ 3A, 4.5V Surface Mount 900mV @ 250µA 24 nC @ 4.5 V 12 V ±8V 920 pF @ 6 V - - 6-WLCSP (1.48x0.98) - 556mW (Ta), 12.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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