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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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BUK7105-40AIE,118

BUK7105-40AIE,118

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

NXP USA Inc.

4,122 -
BUK7105-40AIE,118

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
BUK753R1-40B,127

BUK753R1-40B,127

MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB

NXP USA Inc.

6,230 -
BUK753R1-40B,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 10V 3.1mOhm @ 25A, 10V Through Hole 4V @ 1mA 94 nC @ 10 V 40 V ±20V 6808 pF @ 25 V - - TO-220AB - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK9E04-30B,127

BUK9E04-30B,127

MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK

NXP USA Inc.

7,725 -
BUK9E04-30B,127

数据表

TrenchMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 4.5V, 10V 3mOhm @ 25A, 10V Through Hole 2V @ 1mA 56 nC @ 5 V 30 V ±15V 6526 pF @ 25 V - - I2PAK - 254W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK752R7-60E,127

BUK752R7-60E,127

MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB

NXP USA Inc.

7,858 -
BUK752R7-60E,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120A (Tc) 10V 2.6mOhm @ 25A, 10V Through Hole 4V @ 1mA 158 nC @ 10 V 60 V ±20V 11180 pF @ 25 V - - TO-220AB - 349W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK9E4R4-40B,127

BUK9E4R4-40B,127

MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK

NXP USA Inc.

2,880 -
BUK9E4R4-40B,127

数据表

TrenchMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 4.5V, 10V 4mOhm @ 25A, 10V Through Hole 2V @ 1mA 64 nC @ 5 V 40 V ±15V 7124 pF @ 25 V - - I2PAK - 254W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK9E2R8-60E,127

BUK9E2R8-60E,127

MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK

NXP USA Inc.

288 -
BUK9E2R8-60E,127

数据表

TrenchMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120A (Tc) 5V, 10V 2.6mOhm @ 25A, 10V Through Hole 2.1V @ 1mA 120 nC @ 5 V 60 V ±10V 17450 pF @ 25 V - - I2PAK - 349W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK7E1R6-30E,127

BUK7E1R6-30E,127

MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK

NXP USA Inc.

4,329 -
BUK7E1R6-30E,127

数据表

TrenchMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120A (Tc) 10V 1.6mOhm @ 25A, 10V Through Hole 4V @ 1mA 154 nC @ 10 V 30 V ±20V 11960 pF @ 25 V - - I2PAK - 349W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK751R6-30E,127

BUK751R6-30E,127

MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB

NXP USA Inc.

277 -
BUK751R6-30E,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120A (Tc) 10V 1.6mOhm @ 25A, 10V Through Hole 4V @ 1mA 154 nC @ 10 V 30 V ±20V 11960 pF @ 25 V - - TO-220AB - 349W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
PSMN1R5-40ES,127

PSMN1R5-40ES,127

MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK

NXP USA Inc.

7,345 -
PSMN1R5-40ES,127

数据表

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
BUK652R3-40C,127

BUK652R3-40C,127

MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB

NXP USA Inc.

4,171 -
BUK652R3-40C,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120A (Tc) 4.5V, 10V 2.3mOhm @ 25A, 10V Through Hole 2.8V @ 1mA 260 nC @ 10 V 40 V ±16V 15100 pF @ 25 V - - TO-220AB - 306W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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