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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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BUK653R2-55C,127

BUK653R2-55C,127

MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB

NXP USA Inc.

9,566 -
BUK653R2-55C,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120A (Tc) 4.5V, 10V 3.2mOhm @ 25A, 10V Through Hole 2.8V @ 1mA 258 nC @ 10 V 55 V ±16V 15300 pF @ 25 V - - TO-220AB - 306W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK652R0-30C,127

BUK652R0-30C,127

MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB

NXP USA Inc.

2,193 -
BUK652R0-30C,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120A (Tc) 4.5V, 10V 2.2mOhm @ 25A, 10V Through Hole 2.8V @ 1mA 229 nC @ 10 V 30 V ±16V 14964 pF @ 25 V - - TO-220AB - 306W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK752R3-40C,127

BUK752R3-40C,127

MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB

NXP USA Inc.

4,791 -
BUK752R3-40C,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100A (Tc) 10V 2.3mOhm @ 25A, 10V Through Hole 4V @ 1mA 175 nC @ 10 V 40 V ±20V 11323 pF @ 25 V - - TO-220AB - 333W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK7E4R0-80E,127

BUK7E4R0-80E,127

MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK

NXP USA Inc.

5,955 -
BUK7E4R0-80E,127

数据表

TrenchMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120A (Tc) 10V 4mOhm @ 25A, 10V Through Hole 4V @ 1mA 169 nC @ 10 V 80 V ±20V 12030 pF @ 25 V - - I2PAK - 349W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK9E4R4-80E,127

BUK9E4R4-80E,127

MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK

NXP USA Inc.

2,928 -
BUK9E4R4-80E,127

数据表

TrenchMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120A (Tc) 5V, 10V 4.2mOhm @ 25A, 10V Through Hole 2.1V @ 1mA 123 nC @ 5 V 80 V ±10V 17130 pF @ 25 V - - I2PAK - 349W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK9E6R1-100E,127

BUK9E6R1-100E,127

MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK

NXP USA Inc.

2,775 -
BUK9E6R1-100E,127

数据表

TrenchMOS™ TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120A (Tc) 5V, 10V 5.9mOhm @ 25A, 10V Through Hole 2.1V @ 1mA 133 nC @ 5 V 100 V ±10V 17460 pF @ 25 V - - I2PAK - 349W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
PSMN3R5-80ES,127

PSMN3R5-80ES,127

MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK

NXP USA Inc.

4,668 -
PSMN3R5-80ES,127

数据表

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
PSMN2R0-60ES,127

PSMN2R0-60ES,127

MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK

NXP USA Inc.

610 -
PSMN2R0-60ES,127

数据表

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
BUK754R3-75C,127

BUK754R3-75C,127

MOSFET N-CH 75V 100A TO220AB

NXP USA Inc.

9,719 -
BUK754R3-75C,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 100A (Tc) 10V 4.3mOhm @ 25A, 10V Through Hole 4V @ 1mA 142 nC @ 10 V 75 V ±20V 11659 pF @ 25 V - - TO-220AB - 333W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK654R0-75C,127

BUK654R0-75C,127

MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB

NXP USA Inc.

3,194 -
BUK654R0-75C,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120A (Tc) 4.5V, 10V 4.2mOhm @ 25A, 10V Through Hole 2.8V @ 1mA 234 nC @ 10 V 75 V ±16V 15450 pF @ 25 V - - TO-220AB - 306W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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