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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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BUK7109-75AIE,118

BUK7109-75AIE,118

MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK

NXP USA Inc.

1,754 -
BUK7109-75AIE,118

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
BUK761R4-30E,118

BUK761R4-30E,118

MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK

NXP USA Inc.

8,113 -
BUK761R4-30E,118

数据表

TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120A (Tc) 10V 1.45mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 4V @ 1mA 130 nC @ 10 V 30 V ±20V 9580 pF @ 25 V - - D2PAK - 324W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK961R5-30E,118

BUK961R5-30E,118

MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK

NXP USA Inc.

9,425 -
BUK961R5-30E,118

数据表

TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120A (Tc) 5V, 10V 1.3mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 2.1V @ 1mA 93.4 nC @ 5 V 30 V ±10V 14500 pF @ 25 V - - D2PAK - 324W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
PSMN1R6-30PL,127

PSMN1R6-30PL,127

MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB

NXP USA Inc.

7,621 -
PSMN1R6-30PL,127

数据表

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
PHB146NQ06LT,118

PHB146NQ06LT,118

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

NXP USA Inc.

9,616 -
PHB146NQ06LT,118

数据表

TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 4.5V, 10V 5.4mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 2V @ 1mA 60 nC @ 5 V 55 V ±15V 5675 pF @ 25 V - - D2PAK - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
PHB174NQ04LT,118

PHB174NQ04LT,118

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

NXP USA Inc.

2,509 -
PHB174NQ04LT,118

数据表

TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 4.5V, 10V 4mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 2V @ 1mA 64 nC @ 5 V 40 V ±15V 5345 pF @ 25 V - - D2PAK - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK753R8-80E,127

BUK753R8-80E,127

TRANSISTOR >30MHZ

NXP USA Inc.

1,749 -
BUK753R8-80E,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120A (Tc) 10V 4mOhm @ 25A, 10V Through Hole 4V @ 1mA 169 nC @ 10 V 80 V ±20V 12030 pF @ 25 V AEC-Q101 - TO-220AB Automotive 349W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK7506-75B,127

BUK7506-75B,127

MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB

NXP USA Inc.

4,224 -
BUK7506-75B,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 10V 5.6mOhm @ 25A, 10V Through Hole 4V @ 1mA 91 nC @ 10 V 75 V ±20V 7446 pF @ 25 V - - TO-220AB - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
PSMN4R3-80ES,127

PSMN4R3-80ES,127

MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK

NXP USA Inc.

540 -
PSMN4R3-80ES,127

数据表

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
PHB222NQ04LT,118

PHB222NQ04LT,118

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

NXP USA Inc.

6,624 -
PHB222NQ04LT,118

数据表

TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 4.5V, 10V 2.8mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 2V @ 1mA 93.6 nC @ 5 V 40 V ±15V 7880 pF @ 25 V - - D2PAK - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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