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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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图片 厂商料号 库存情况 价格 数量 数据表 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度
BUK7909-75AIE,127

BUK7909-75AIE,127

MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB

NXP USA Inc.

2,978 -
BUK7909-75AIE,127

数据表

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
BUK762R0-40C,118

BUK762R0-40C,118

MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK

NXP USA Inc.

1,088 -
BUK762R0-40C,118

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
BUK9E1R9-40E,127

BUK9E1R9-40E,127

MOSFET N-CH 40V I2PAK

NXP USA Inc.

2,360 -
BUK9E1R9-40E,127

数据表

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120A (Tj) - - Through Hole - - 40 V - - - - I2PAK - - -55°C ~ 175°C (TJ)
PHB110NQ06LT,118

PHB110NQ06LT,118

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

NXP USA Inc.

3,642 -
PHB110NQ06LT,118

数据表

TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 4.5V, 10V 7mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 2V @ 1mA 45 nC @ 5 V 55 V ±15V 3960 pF @ 25 V - - D2PAK - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
PSMN8R7-80PS,127

PSMN8R7-80PS,127

NEXPERIA PSMN8R7 - N-CHANNEL 80

NXP Semiconductors

6,806 -
PSMN8R7-80PS,127

数据表

- TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 90A (Tc) 10V 8.7mOhm @ 10A, 10V Through Hole 4V @ 1mA 52 nC @ 10 V 80 V ±20V 3346 pF @ 40 V - - TO-220AB - 170W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK7E2R3-40C,127

BUK7E2R3-40C,127

MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK

NXP USA Inc.

4,893 -
BUK7E2R3-40C,127

数据表

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
BUK7508-55A,127

BUK7508-55A,127

NEXPERIA BUK7508-55A - 75A, 55V,

NXP Semiconductors

6,350 -
BUK7508-55A,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Ta) - 8mOhm @ 25A, 10V Through Hole 4V @ 1mA 76 nC @ 0 V 55 V ±20V 4352 pF @ 25 V AEC-Q101 - TO-220AB Automotive 254W (Ta) -55°C ~ 175°C (TJ)
PSMN7R0-100ES,127

PSMN7R0-100ES,127

MOSFET N-CH 100V I2PAK

NXP USA Inc.

4,850 -
PSMN7R0-100ES,127

数据表

* - Tube Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
BUK961R4-30E,118

BUK961R4-30E,118

MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK

NXP USA Inc.

7,146 -
BUK961R4-30E,118

数据表

TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120A (Tc) 5V, 10V 1.4mOhm @ 25A, 5V Surface Mount 2.1V @ 1mA 113 nC @ 5 V 30 V ±10V 16150 pF @ 25 V - - D2PAK - 357W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK653R5-55C,127

BUK653R5-55C,127

MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB

NXP USA Inc.

9,390 -
BUK653R5-55C,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120A (Tc) 4.5V, 10V 3.9mOhm @ 25A, 10V Through Hole 2.8V @ 1mA 191 nC @ 10 V 55 V ±16V 11516 pF @ 25 V - - TO-220AB - 263W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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