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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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BUK652R1-30C,127

BUK652R1-30C,127

MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB

NXP USA Inc.

3,006 -
BUK652R1-30C,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120A (Tc) 4.5V, 10V 2.4mOhm @ 25A, 10V Through Hole 2.8V @ 1mA 168 nC @ 10 V 30 V ±16V 10918 pF @ 25 V - - TO-220AB - 263W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK652R6-40C,127

BUK652R6-40C,127

MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB

NXP USA Inc.

2,041 -
BUK652R6-40C,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Tube Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120A (Tc) 4.5V, 10V 2.7mOhm @ 25A, 10V Through Hole 2.8V @ 1mA 199 nC @ 10 V 40 V ±16V 11334 pF @ 25 V - - TO-220AB - 263W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
PH3830L,115

PH3830L,115

MOSFET N-CH 30V 98A LFPAK56

NXP USA Inc.

3,592 -
PH3830L,115

数据表

TrenchMOS™ SC-100, SOT-669 Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 98A (Tc) 5V, 10V 3.8mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 2V @ 1mA 33 nC @ 5 V 30 V ±20V 3190 pF @ 10 V - - LFPAK56, Power-SO8 - 62.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PHP45NQ10T,127

PHP45NQ10T,127

NEXPERIA PHP45NQ10T - 47A, 100V,

NXP Semiconductors

4,659 -
PHP45NQ10T,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 47A (Tc) 10V 25mOhm @ 25A, 10V Through Hole 4V @ 1mA 61 nC @ 10 V 100 V ±20V 2600 pF @ 25 V - - TO-220AB - 150W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK9509-75A,127

BUK9509-75A,127

MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB

NXP USA Inc.

3,678 -
BUK9509-75A,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tj) 4.5V, 10V 8.5mOhm @ 25A, 10V Through Hole 2V @ 1mA - 75 V ±10V 8840 pF @ 25 V - - TO-220AB - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
PSMN7R8-120ESQ

PSMN7R8-120ESQ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

NXP USA Inc.

430 -
PSMN7R8-120ESQ

数据表

- TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 70A (Tc) 10V 7.9mOhm @ 25A, 10V Through Hole 4V @ 1mA 167 nC @ 10 V 120 V ±20V 9473 pF @ 60 V - - I2PAK - 349W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
PMCM650VNEZ

PMCM650VNEZ

MOSFET N-CH 12V 6.4A 6WLCSP

NXP USA Inc.

445,500 -
PMCM650VNEZ

数据表

- 6-XFBGA, WLCSP Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 6.4A (Ta) 4.5V 25mOhm @ 3A, 4.5V Surface Mount 900mV @ 250µA 15.4 nC @ 4.5 V 12 V ±8V 1060 pF @ 6 V - - 6-WLCSP (1.48x0.98) - 556mW (Ta), 12.5W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
PHB129NQ04LT,118

PHB129NQ04LT,118

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

NXP USA Inc.

3,855 -
PHB129NQ04LT,118

数据表

TrenchMOS™ TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Tape & Reel (TR) Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 4.5V, 10V 5mOhm @ 25A, 10V Surface Mount 2V @ 1mA 44.2 nC @ 5 V 40 V ±15V 3965 pF @ 25 V - - D2PAK - 200W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK9505-30A,127

BUK9505-30A,127

MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB

NXP USA Inc.

6,736 -
BUK9505-30A,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 4.5V, 10V 4.6mOhm @ 25A, 10V Through Hole 2V @ 1mA - 30 V ±10V 8600 pF @ 25 V - - TO-220AB - 230W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
BUK7504-40A,127

BUK7504-40A,127

MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB

NXP USA Inc.

6,891 -
BUK7504-40A,127

数据表

TrenchMOS™ TO-220-3 Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 75A (Tc) 10V 4.5mOhm @ 25A, 10V Through Hole 4V @ 1mA 117 nC @ 10 V 40 V ±20V 5730 pF @ 25 V - - TO-220AB - 300W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
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