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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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IRFAF50

IRFAF50

N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET

International Rectifier

644 -
IRFAF50

数据表

HEXFET® TO-204AA, TO-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 6.2A (Tc) 10V 1.85Ohm @ 6.2A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 180 nC @ 10 V 900 V ±20V 2700 pF @ 25 V - - TO-204AA (TO-3) - 150W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRFAF52

IRFAF52

N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET

International Rectifier

172 -
IRFAF52

数据表

- TO-204AA, TO-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5.7A - - Through Hole - - 900 V - - - - TO-204AA (TO-3) - 150W -
IRFAC50

IRFAC50

N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET

International Rectifier

129 -
IRFAC50

数据表

- TO-204AA, TO-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 10.6A - - Through Hole - - 600 V - - - - TO-204AA (TO-3) - 150W -
IRF362

IRF362

N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET

International Rectifier

160 -
IRF362

数据表

- TO-204AA, TO-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 22A - - Through Hole - - 400 V - - - - TO-204AA (TO-3) - 300W -
IRFHS8242TRPBF

IRFHS8242TRPBF

IRFHS8242 - HEXFET POWER MOSFET

International Rectifier

177,700 -
IRFHS8242TRPBF

数据表

HEXFET® 6-PowerVDFN Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 9.9A (Ta), 21A (Tc) 4.5V, 10V 13mOhm @ 8.5A, 10V Surface Mount 2.35V @ 25µA 10.4 nC @ 10 V 25 V ±20V 653 pF @ 10 V - - 6-PQFN (2x2) - 2.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRFH7914TRPBF

IRFH7914TRPBF

IRFH7914 - 12V-300V N-CHANNEL PO

International Rectifier

3,375 -
IRFH7914TRPBF

数据表

HEXFET® 8-PowerTDFN Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 15A (Ta), 35A (Tc) 4.5V, 10V 8.7mOhm @ 14A, 10V Surface Mount 2.35V @ 25µA 12 nC @ 4.5 V 30 V ±20V 1160 pF @ 15 V - - 8-PQFN (5x6) - 3.1W (Ta) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRF7205TRPBF

IRF7205TRPBF

IRF7205 - 20V-250V P-CHANNEL POW

International Rectifier

20,600 -
IRF7205TRPBF

数据表

* - Bulk Active - - - - - - - - - - - - - - - - -
IRLR2905ZTRLPBF

IRLR2905ZTRLPBF

MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

International Rectifier

1,225 -
IRLR2905ZTRLPBF

数据表

HEXFET® TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 42A (Tc) 4.5V, 10V 13.5mOhm @ 36A, 10V Surface Mount 3V @ 250µA 35 nC @ 5 V 55 V ±16V 1570 pF @ 25 V - - DPAK - 110W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
AUIRLU024Z

AUIRLU024Z

MOSFET N-CH 55V 16A I-PAK

International Rectifier

13,425 -
AUIRLU024Z

数据表

HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Obsolete N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 16A (Tc) 4.5V, 10V 58mOhm @ 9.6A, 10V Through Hole 3V @ 250µA 9.9 nC @ 5 V 55 V ±16V 380 pF @ 25 V - - IPAK - 35W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IRFU5410PBF

IRFU5410PBF

IRFU5410 - 20V-250V P-CHANNEL PO

International Rectifier

281,224 -
IRFU5410PBF

数据表

HEXFET® TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 13A (Tc) 10V 205mOhm @ 7.8A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 58 nC @ 10 V 100 V ±20V 760 pF @ 25 V - - IPAK (TO-251AA) - 66W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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