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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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2N6787

2N6787

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N

International Rectifier

287 -
2N6787

数据表

- TO-205AF Metal Can Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 6A (Tc) - - Through Hole - - 80 V - - - - TO-205AF (TO-39) - 20W -
IRFAG20

IRFAG20

N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET

International Rectifier

1,122 -
IRFAG20

数据表

- TO-204AA, TO-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.3A - - Through Hole - - 1000 V - - - - TO-204AA (TO-3) - 50W -
AUIRFS4010-7TRL

AUIRFS4010-7TRL

MOSFET N-CH 100V 180A TO263

International Rectifier

666 -
AUIRFS4010-7TRL

数据表

HEXFET® TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 180A (Tc) - 4.7mOhm @ 106A, 10V Surface Mount 4V @ 250µA 215 nC @ 10 V 100 V ±20V 9575 pF @ 50 V AEC-Q101 - D2PAK-7 Automotive 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IRFF9231

IRFF9231

MOSFET N-CH 150V 4A TO205AF

International Rectifier

824 -
IRFF9231

数据表

- TO-205AF Metal Can Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4A (Tc) - - Through Hole - - 150 V - - - - TO-205AF (TO-39) - 25W -
AUIRFP2907

AUIRFP2907

AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL

International Rectifier

8,540 -
AUIRFP2907

数据表

HEXFET® TO-247-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 90A (Tc) 10V 4.5mOhm @ 125A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 620 nC @ 10 V 75 V ±20V 13000 pF @ 25 V - - TO-247AC - 470W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IRF9230

IRF9230

200V, P-CHANNEL REPETITIVE AVALA

International Rectifier

10,200 -
IRF9230

数据表

HEXFET® TO-204AA, TO-3 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 6.5A (Tc) 10V 940mOhm @ 6.5A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 31 nC @ 10 V 200 V ±20V 700 pF @ 25 V - - TO-204AA (TO-3) - 75W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRFAC30

IRFAC30

N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET

International Rectifier

427 -
IRFAC30

数据表

HEXFET® TO-204AA, TO-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.6A (Tc) 10V 2.5Ohm @ 3.6A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 38 nC @ 10 V 600 V ±20V 630 pF @ 25 V - - TO-204AA (TO-3) - 75W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRF9133

IRF9133

AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL POWE

International Rectifier

200 -
IRF9133

数据表

- TO-204AA, TO-3 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 10A - - Through Hole - - 80 V - - - - TO-204AA (TO-3) - 88W -
IRF9240

IRF9240

HEXFET POWER MOSFET

International Rectifier

6,174 -
IRF9240

数据表

HEXFET® TO-204AA, TO-3 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 11A (Tc) 10V 580mOhm @ 11A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 60 nC @ 10 V 200 V ±20V 1200 pF @ 25 V - - TO-204AA (TO-3) - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRFAF40

IRFAF40

N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET

International Rectifier

934 -
IRFAF40

数据表

HEXFET® TO-204AA, TO-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 4.3A (Tc) 10V 2.9Ohm @ 4.3A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 120 nC @ 10 V 900 V ±20V 1500 pF @ 25 V - - TO-204AA (TO-3) - 125W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
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