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场效应晶体管(FETs)、MOSFETs

制造商 系列 封装/外壳 包装 产品状态 FET 类型 技术 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 导通电阻 (Rds On)(最大值)@ Id, Vgs 安装类型 栅极阈值电压 (Vgs(th))(最大值)@ Id 栅极电荷 (Qg)(最大值)@ Vgs 漏极到源极电压 (Vdss) 栅极电压 (Vgs)(最大值) 输入电容 (Ciss)(最大值)@ Vds 认证 FET 特性 供应商设备封装 等级 功耗(最大值) 工作温度

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IRF9233

IRF9233

MOSFET P-CH 150V 5.5A TO204AE

International Rectifier

301 -
IRF9233

数据表

HEXFET® TO-204AE Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 5.5A - - Through Hole - - 150 V - - - - TO-204AE - 75W -
IRF225

IRF225

N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET

International Rectifier

288 -
IRF225

数据表

- TO-204AA, TO-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.3A - - Through Hole - - 250 V - - - - TO-204AA (TO-3) - 40W -
AUIRFS3607TRL

AUIRFS3607TRL

MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK

International Rectifier

15,667 -
AUIRFS3607TRL

数据表

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 80A (Tc) 10V 9mOhm @ 46A, 10V Surface Mount 4V @ 100µA 84 nC @ 10 V 75 V ±20V 3070 pF @ 50 V - - PG-TO263-3 - 140W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
AUIRF4905L

AUIRF4905L

AUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL

International Rectifier

1,000 -
AUIRF4905L

数据表

HEXFET® TO-262 Bulk Active P-Channel MOSFET (Metal Oxide) 42A (Tc) 10V 20mOhm @ 42A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 180 nC @ 10 V 55 V ±20V 3500 pF @ 25 V - - TO-262 - 200W (Tc) -55°C ~ 150°C (TJ)
IRF224

IRF224

N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET

International Rectifier

2,200 -
IRF224

数据表

- TO-204AA, TO-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 3.8A - - Through Hole - - 250 V - - - - TO-204AA (TO-3) - 40W -
AUIRFP1405

AUIRFP1405

AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL

International Rectifier

11,500 -
AUIRFP1405

数据表

HEXFET® TO-247-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 95A (Tc) 10V 5.3mOhm @ 95A, 10V Through Hole 4V @ 250µA 180 nC @ 10 V 55 V ±20V 5600 pF @ 25 V - - TO-247AC - 310W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
AUIRLS3034TRL

AUIRLS3034TRL

AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL

International Rectifier

23,735 -
AUIRLS3034TRL

数据表

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 195A (Tc) - 1.7mOhm @ 195A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 162 nC @ 4.5 V 40 V - 10315 pF @ 25 V - - D2PAK - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
AUIRLS3034

AUIRLS3034

AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL

International Rectifier

4,102 -
AUIRLS3034

数据表

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 195A (Tc) 4.5V, 10V 1.7mOhm @ 195A, 10V Surface Mount 2.5V @ 250µA 162 nC @ 4.5 V 40 V ±20V 10315 pF @ 25 V - - D2PAK - 375W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
AUIRFS4310ZTRL

AUIRFS4310ZTRL

AUIRFS4310Z - 75V-100V N-CHANNEL

International Rectifier

38,742 -
AUIRFS4310ZTRL

数据表

HEXFET® TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 120A (Tc) 10V 6mOhm @ 75A, 10V Surface Mount 4V @ 150µA 170 nC @ 10 V 100 V ±20V 6860 pF @ 50 V - - D2PAK - 250W (Tc) -55°C ~ 175°C (TJ)
IRFAF20

IRFAF20

N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET

International Rectifier

620 -
IRFAF20

数据表

- TO-204AA, TO-3 Bulk Active N-Channel MOSFET (Metal Oxide) 1.6A - - Through Hole - - 900 V - - - - TO-204AA (TO-3) - 50W -
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